湖南二零八先進(jìn)科技有限公司王飛獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南二零八先進(jìn)科技有限公司申請的專利一種微半球電極及其制備方法、微半球諧振陀螺獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120445270B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510953458.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01C25/00;該發(fā)明授權(quán)一種微半球電極及其制備方法、微半球諧振陀螺是由王飛;盧廣鋒;王凡;劉春華設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-07-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種微半球電極及其制備方法、微半球諧振陀螺在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種微半球電極及其制備方法、微半球諧振陀螺,制備方法包括:在石英表面高壓膜層和金屬底膜層,二者由具有設(shè)定線寬的底層圖案分隔開;在高壓膜層上形成主體結(jié)構(gòu)為環(huán)形的絕緣膜層;在絕緣膜層和金屬底膜層上形成多個(gè)電極膜層和GND膜層,多個(gè)電極膜層位于絕緣層上,且以絕緣層內(nèi)環(huán)圍合的高壓膜層為中心呈周向間隔分布,電極膜層和GND膜層由具有設(shè)定線寬的框圖案分隔開來,GND膜層由石英表面邊緣向內(nèi)延伸至靠近絕緣層的內(nèi)環(huán)。本發(fā)明能有效改善微半球諧振陀螺儀電場不均造成的信號不穩(wěn)定與電路板短路損壞問題。
本發(fā)明授權(quán)一種微半球電極及其制備方法、微半球諧振陀螺在權(quán)利要求書中公布了:1.一種微半球電極的制備方法,其特征在于,包括: S1:在石英表面進(jìn)行成膜處理,形成高壓膜層和金屬底膜層,高壓膜層和金屬底膜層由具有設(shè)定線寬的底層圖案分隔開,底層圖案包括位于石英表面中心位置的大圈和位于石英表面對角位置的小圈,大圈和小圈連通,高壓膜層覆蓋石英表面大圈和小圈圍合的區(qū)域,金屬底膜層覆蓋石英表面除大圈和小圈圍合的區(qū)域以外的區(qū)域; S2:在高壓膜層上進(jìn)行成膜處理,形成主體結(jié)構(gòu)為環(huán)形的絕緣膜層,絕緣膜層覆蓋高壓膜層與大圈的邊緣區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域,以及與大圈和小圈的連通區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域; S3:在絕緣膜層和金屬底膜層上進(jìn)行成膜處理,形成多個(gè)電極膜層和GND膜層,多個(gè)電極膜層位于絕緣層上,且以絕緣層內(nèi)環(huán)圍合的高壓膜層為中心呈周向間隔分布,電極膜層和GND膜層由具有設(shè)定線寬的框圖案分隔開來,GND膜層由石英表面邊緣向內(nèi)延伸至靠近絕緣層的內(nèi)環(huán)。
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