意法半導體應用有限公司;意法半導體(圖爾)公司M·羅維瑞獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體應用有限公司;意法半導體(圖爾)公司申請的專利包括氮化鎵功率晶體管的單片式組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112117271B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010561803.X，技術領域涉及：H10D84/00；該發明授權包括氮化鎵功率晶體管的單片式組件是由M·羅維瑞;A·伊萬;M·薩德納;V·斯卡爾帕設計研發完成，并于2020-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括氮化鎵功率晶體管的單片式組件在說明書摘要公布了：單片式組件包括場效應功率晶體管、以及在氮化鎵襯底內部和頂部的至少一個第一肖特基二極管。
本發明授權包括氮化鎵功率晶體管的單片式組件在權利要求書中公布了：1.一種電子組件，包括： 氮化鎵襯底； 第一連接端子和第二連接端子，形成在所述氮化鎵襯底上； 場效應功率晶體管，形成在所述氮化鎵襯底上并且包括柵極、源極和漏極； 第一肖特基二極管，形成在所述氮化鎵襯底上，并且被串聯耦合在所述第一連接端子與所述場效應功率晶體管的所述柵極之間；以及 第二肖特基二極管，形成在所述氮化鎵襯底上，并且被串聯耦合在所述第二連接端子與所述場效應功率晶體管的所述柵極之間， 其中所述第二肖特基二極管經由所述第二連接端子耦合到第一電容器，并且 其中所述第一電容器，連接在所述第二連接端子和所述場效應功率晶體管的所述源極之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體應用有限公司;意法半導體(圖爾)公司，其通訊地址為：德國阿什海姆；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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