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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利包括具有柵極區域和絕緣區域的堆疊結構的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112242397B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010671139.4，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權包括具有柵極區域和絕緣區域的堆疊結構的半導體器件是由林根元;白石千設計研發完成，并于2020-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括具有柵極區域和絕緣區域的堆疊結構的半導體器件在說明書摘要公布了：提供了一種包括具有柵極區域和絕緣區域的堆疊結構的半導體器件。所述半導體器件包括下部結構和在下部結構上延伸到連接區域中的堆疊結構，其中，堆疊結構包括柵極焊盤和模制焊盤。模制焊盤包括中間模制焊盤，中間模制焊盤包括第一中間模制焊盤和位于成對的第一中間模制焊盤之間的第二中間模制焊盤，每個第一中間模制焊盤具有在第一方向上的第一長度，第二中間模制焊盤具有在第一方向上的大于第一長度的第二長度，一個中間模制焊盤包括模制焊盤部分和位于模制焊盤部分上的絕緣突起部分，一個第一中間模制焊盤包括模制焊盤部分和絕緣突起部分，并且第二中間模制焊盤的中心區域不包括絕緣突起部分。

本發明授權包括具有柵極區域和絕緣區域的堆疊結構的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，所述半導體器件包括： 下部結構，包括下部襯底、位于所述下部襯底上的上部襯底、位于所述下部襯底與所述上部襯底之間并且包括外圍布線的外圍電路區域以及穿透所述上部襯底的間隙填充絕緣層； 堆疊結構，位于所述下部結構上的存儲單元陣列區域中并且延伸到所述下部結構上的連接區域中，其中，所述堆疊結構在所述連接區域中具有階梯結構，其中，所述堆疊結構包括柵極區域和第一絕緣區域，其中，所述柵極區域位于所述存儲單元陣列區域中并且延伸到所述連接區域中，并且其中，所述第一絕緣區域位于所述連接區域中； 覆蓋絕緣層，位于所述堆疊結構上；以及 存儲單元垂直結構，在所述存儲單元陣列區域中位于所述柵極區域中， 其中，所述堆疊結構包括交替堆疊在所述下部結構上的多個第一層和多個第二層， 其中，所述多個第二層包括位于所述柵極區域中的多個柵極層、位于所述第一絕緣區域中的多個模制層、從所述多個柵極層延伸的多個柵極焊盤以及從至少一個所述模制層延伸的多個模制焊盤， 其中，所述多個柵極層均包括導電材料， 其中，所述多個模制層均包括絕緣材料， 其中，所述多個模制層包括一個或多個下部模制層、位于所述一個或多個下部模制層上的多個中間模制層以及位于所述多個中間模制層上的一個或多個浮置模制層， 其中，所述多個模制焊盤包括從所述多個中間模制層中的至少一個中間模制層延伸的多個中間模制焊盤， 其中，所述多個中間模制焊盤包括沿第一方向下降的階梯結構， 其中，所述第一方向從所述存儲單元陣列區域延伸到所述連接區域， 其中，所述多個中間模制焊盤包括多個第一中間模制焊盤和位于所述多個第一中間模制焊盤中的成對的第一中間模制焊盤之間的第二中間模制焊盤， 其中，所述多個第一中間模制焊盤均具有在所述第一方向上的第一長度， 其中，所述第二中間模制焊盤具有在所述第一方向上的大于所述第一長度的第二長度， 其中，所述多個中間模制焊盤中的至少一個中間模制焊盤包括模制焊盤部分和位于所述模制焊盤部分上的絕緣突起部分， 其中，所述多個第一中間模制焊盤中的至少一個第一中間模制焊盤包括所述模制焊盤部分和所述絕緣突起部分，并且 其中，所述第二中間模制焊盤的至少中心區域不包括所述絕緣突起部分。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。