臺灣積體電路制造股份有限公司柯忠廷獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130394B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011015999.9，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體器件及其制造方法是由柯忠廷;黃泰鈞;李志鴻;李資良;徐志安設計研發完成，并于2020-09-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其制造方法。一種方法包括形成突出高于隔離區域的頂表面的半導體鰭。隔離區域延伸到半導體襯底中。蝕刻半導體鰭的一部分以形成溝槽，該溝槽延伸得低于隔離區域的底表面并且延伸到半導體襯底中。該方法還包括：用第一電介質材料填充溝槽以形成第一鰭隔離區域；使第一鰭隔離區域凹陷以形成第一凹槽；并且用第二電介質材料填充第一凹槽。第一電介質材料和第二電介質材料組合形成第二鰭隔離區域。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括： 形成突出高于隔離區域的頂表面的半導體鰭，其中所述隔離區域延伸到半導體襯底中； 蝕刻所述半導體鰭的一部分以形成溝槽，其中所述溝槽延伸得低于所述隔離區域的底表面，并延伸到所述半導體襯底中； 用第一電介質材料填充所述溝槽以形成第一鰭隔離區域，所述第一鰭隔離區域延伸得低于所述隔離區域的底表面； 使所述第一鰭隔離區域凹陷以形成第一凹槽；以及 用第二電介質材料填充所述第一凹槽，其中，所述第一電介質材料和所述第二電介質材料組合形成第二鰭隔離區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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