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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115989577B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080103574.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由蘇博;吳漢洙設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底、柵極結(jié)構(gòu)、位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底中的源漏摻雜區(qū)以及位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)部基底上的底部介質(zhì)層；形成貫穿源漏摻雜區(qū)頂部的底部介質(zhì)層的源漏互連層；在底部介質(zhì)層上形成頂部介質(zhì)層；形成貫穿柵極結(jié)構(gòu)頂部的頂部介質(zhì)層的柵極接觸孔和貫穿源漏互連層頂部的頂部介質(zhì)層的源漏接觸孔；在柵極接觸孔和源漏接觸孔的側(cè)壁形成犧牲側(cè)壁層；形成填充柵極接觸孔的柵極插塞以及填充源漏接觸孔的源漏插塞；去除犧牲側(cè)壁層形成第一間隙；形成密封第一間隙的密封層，使位于源漏插塞側(cè)壁和位于柵極插塞側(cè)壁的第一間隙中的至少一個與密封層圍成第一空氣隙。本發(fā)明實施例有利于降低柵極插塞與源漏插塞之間的寄生電容。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基底； 柵極結(jié)構(gòu)，位于所述基底上； 源漏摻雜區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中； 源漏互連層，位于所述源漏摻雜區(qū)的頂部上且與所述源漏摻雜區(qū)相接觸； 柵極插塞，位于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部上且與所述柵極結(jié)構(gòu)相接觸； 源漏插塞，位于所述源漏互連層的頂部上且與所述源漏互連層相接觸； 介質(zhì)層，覆蓋所述柵極插塞和源漏插塞的側(cè)壁，并填充于所述柵極插塞與源漏插塞之間； 第一間隙，位于所述源漏插塞的側(cè)壁與所述介質(zhì)層之間，所述第一間隙暴露出源漏插塞的側(cè)壁； 密封層，位于所述介質(zhì)層上且從第一間隙頂部密封所述第一間隙，位于所述源漏插塞側(cè)壁的第一間隙與所述密封層圍成第一空氣隙，且所述第一空氣隙位于所述源漏互連層的上方。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。