買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497048B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011153446.X，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權半導體結構及其形成方法是由任燁;胡建強;鄭凱;楊蕓;汪涵設計研發完成，并于2020-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成覆蓋浮柵材料層、隔離結構和基底的控制柵材料層；圖形化控制柵材料層和浮柵材料層，形成位于單元陣列區、第一過渡區和相鄰選擇柵區的控制柵，剩余浮柵材料層用于作為浮柵，浮柵和控制柵構成柵極結構；在柵極結構側壁形成隔離側墻，位于單元陣列區和第一過渡區的相鄰柵極結構側壁的隔離側墻相接觸；在基底、隔離側墻和柵極結構上形成硅化物阻擋層，硅化物阻擋層暴露出單元陣列區、第一過渡區和相鄰的選擇柵區；在硅化物阻擋層露出的柵極結構頂部和基底頂面形成金屬硅化物層。本發明實施例中第一過渡區的柵極結構和隔離側墻作為金屬層與基底的阻隔層，有利于增大金屬硅化物工藝的窗口。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，包括多個分立的單元陣列區，用于形成存儲單元；所述基底還包括沿列向位于所述單元陣列區之間的選擇柵區、以及沿列向位于所述單元陣列區和相鄰一側選擇柵區之間的第一過渡區； 多條沿列向延伸且沿行向排布的隔離結構，位于所述基底中； 多條沿行向延伸且沿列向排布的柵極結構，位于所述單元陣列區、第一過渡區和相鄰選擇柵區上，所述柵極結構包括：位于所述隔離結構兩側部分基底上的浮柵，位于每條所述柵極結構中的所述浮柵沿行向間隔排布；控制柵，沿行向覆蓋所述浮柵、以及所述浮柵之間的基底和隔離結構； 沿列向的源區，位于所述單元陣列區的相鄰浮柵之間的基底中，所述源區沿列向還延伸位于所述第一過渡區和相鄰部分選擇柵區的基底中； 第一漏區，位于所述單元陣列區、第一過渡區以及相鄰部分選擇柵區的隔離結構沿行向第二側的基底中； 隔離側墻，位于所述柵極結構的側壁上，在所述單元陣列區和第一過渡區，位于相鄰所述柵極結構側壁上的所述隔離側墻相接觸；所述第一過渡區的基底相應被所述柵極結構和隔離側墻所覆蓋； 硅化物阻擋層，位于所述基底、隔離側墻和柵極結構上；所述硅化物阻擋層位于單元陣列區的靠近第一過渡區的部分柵極結構上，所述硅化物阻擋層暴露出所述單元陣列區、第一過渡區和相鄰的選擇柵區； 金屬硅化物層，位于所述硅化物阻擋層露出的柵極結構頂部和基底頂面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司，其通訊地址為：102600 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號9幢一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。