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龍圖騰網(wǎng)獲悉硅存儲技術(shù)股份有限公司申請的專利具有鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114446972B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011193113.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)具有鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法是由宋國祥;王春明;邢精成;X·劉;N·多設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明題為具有鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法。本發(fā)明公開了一種在半導(dǎo)體襯底的上表面的鰭上形成存儲器單元、高壓器件和邏輯器件的方法，以及由此形成的存儲器器件。存儲器單元形成在一對鰭上，其中浮柵設(shè)置在該對鰭之間，字線柵圍繞在該對鰭周圍，控制柵設(shè)置在該浮柵上方，并且擦除柵設(shè)置在該對鰭上方并部分地設(shè)置在該浮柵上方。高壓器件包括圍繞在相應(yīng)鰭周圍的HV柵，并且邏輯器件包括邏輯柵，該邏輯柵為金屬并圍繞在相應(yīng)的鰭周圍。

本發(fā)明授權(quán)具有鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲器設(shè)備，包括： 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有上表面，所述上表面具有多個(gè)鰭，其中所述鰭中的每個(gè)鰭向上延伸并包括彼此相反并且終止于頂表面的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面； 存儲器單元，所述存儲器單元形成在所述多個(gè)鰭中的第一鰭和第二鰭上，所述存儲器單元包括： 第一溝道區(qū)，所述第一溝道區(qū)沿著所述第一鰭的所述頂表面和所述相反的側(cè)表面在所述第一鰭的源極區(qū)與所述第一鰭的第一漏極區(qū)之間延伸， 第二溝道區(qū)，所述第二溝道區(qū)沿著所述第一鰭的所述頂表面和所述相反的側(cè)表面在所述第一鰭的所述第一漏極區(qū)與所述第一鰭的第二漏極區(qū)之間延伸， 第三溝道區(qū)，所述第三溝道區(qū)沿著所述第二鰭的所述頂表面和所述相反的側(cè)表面在所述第二鰭的源極區(qū)與所述第二鰭的第一漏極區(qū)之間延伸， 第四溝道區(qū)，所述第四溝道區(qū)沿著所述第二鰭的所述頂表面和所述相反的側(cè)表面在所述第二鰭的所述第一漏極區(qū)與所述第二鰭的第二漏極區(qū)之間延伸， 浮柵，所述浮柵設(shè)置在所述第一鰭與所述第二鰭之間，并且沿著所述第一溝道區(qū)的第一部分和所述第三溝道區(qū)的第一部分延伸， 控制柵，所述控制柵沿著所述浮柵延伸并與所述浮柵絕緣， 擦除柵，所述擦除柵具有與所述浮柵橫向相鄰的第一部分和設(shè)置在所述浮柵上方的第二部分，其中所述擦除柵的所述第一部分沿著所述第一鰭和所述第二鰭的所述頂表面延伸并與所述第一鰭和所述第二鰭的所述頂表面絕緣，并沿著所述第一溝道區(qū)的第二部分和所述第三溝道區(qū)的第二部分延伸并與所述第一溝道區(qū)的第二部分和所述第三溝道區(qū)的第二部分絕緣，和 字線柵，所述字線柵沿著所述第二溝道區(qū)和所述第四溝道區(qū)延伸，其中所述字線柵沿著所述第一鰭和所述第二鰭的所述第一側(cè)表面、所述第二側(cè)表面和所述頂表面延伸并且與所述第一鰭和所述第二鰭的所述第一側(cè)表面、所述第二側(cè)表面和所述頂表面絕緣，以用于控制從所述第一鰭的所述第一漏極區(qū)到所述第一鰭的所述第二漏極區(qū)的所述第二溝道區(qū)的導(dǎo)電性，并用于控制從所述第二鰭的所述第一漏極區(qū)到所述第二鰭的所述第二漏極區(qū)的所述第四溝道區(qū)的導(dǎo)電性， 高壓（HV）器件，所述高壓器件形成在所述多個(gè)鰭中的第三鰭上，所述高壓器件包括： HV溝道區(qū)，所述HV溝道區(qū)沿著所述第三鰭的所述頂表面和所述相反的側(cè)表面在所述第三鰭的HV源極區(qū)與所述第三鰭的HV漏極區(qū)之間延伸，和 HV柵，所述HV柵沿著所述HV溝道區(qū)延伸，其中所述HV柵沿著所述第三鰭的所述第一側(cè)表面、所述第二側(cè)表面和所述頂表面延伸并且與所述第三鰭的所述第一側(cè)表面、所述第二側(cè)表面和所述頂表面絕緣；和 邏輯器件，所述邏輯器件形成在所述多個(gè)鰭的第四鰭上，所述邏輯器件包括： 邏輯溝道區(qū)，所述邏輯溝道區(qū)沿著所述第四鰭的所述頂表面和所述相反的側(cè)表面在所述第四鰭的邏輯源極區(qū)與所述第四鰭的邏輯漏極區(qū)之間延伸，和 邏輯柵，所述邏輯柵沿著所述邏輯溝道區(qū)延伸，其中所述邏輯柵沿所述第四鰭的所述第一側(cè)表面、所述第二側(cè)表面和所述頂表面延伸并且與所述第四鰭的所述第一側(cè)表面、所述第二側(cè)表面和所述頂表面絕緣。

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