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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113540243B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110069074.0，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法是由蘇亮宇;蔡宏智;柳瑞興;雷明達;楊彰臺;夏德殷;鐘于彰;楊南盈設計研發完成，并于2021-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法在說明書摘要公布了：一種雪崩保護場效晶體管在半導體襯底內包括：主體半導體層及經摻雜主體接觸區，具有第一導電類型的摻雜；以及源極區、漏極區，具有第二導電類型的摻雜。隱埋的第一導電類型阱可位于半導體襯底內。隱埋的第一導電類型阱位于漏極區之下，且在平面圖中與漏極區具有面積交疊，且在垂直方向上與漏極區間隔開，并且具有比主體半導體層高的第一導電類型的摻雜劑的原子濃度。場效晶體管的配置在雪崩擊穿期間誘導超過90％的碰撞電離電荷從源極區流動、穿過隱埋的第一導電類型阱、并撞擊在漏極區的底表面上。另提供一種形成半導體結構的方法。

本發明授權使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種場效晶體管，包括： 主體半導體層，位于半導體襯底中且具有第一導電類型的摻雜； 源極區與漏極區，形成在所述半導體襯底的上部部分中，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型的摻雜，且通過溝道區在側向上間隔開； 經摻雜主體接觸區，形成在所述半導體襯底的所述上部部分中，具有所述第一導電類型的摻雜，且與所述源極區間隔開； 隱埋的第一導電類型阱，位于所述半導體襯底內，位于所述漏極區之下且在平面圖中與所述漏極區具有面積交疊，在垂直方向上與所述漏極區間隔開，并且具有比所述主體半導體層高的所述第一導電類型的摻雜劑的原子濃度；以及 源極側第一導電類型阱，位于所述半導體襯底內，其中所述源極側第一導電類型阱直接接觸所述源極區以提供第一p-n結，所述第一p-n結的外圍完全位于所述半導體襯底的頂表面內，且所述源極側第一導電類型阱沿著從所述半導體襯底的所述頂表面延伸到所述隱埋的第一導電類型阱的頂表面的界面與所述主體半導體層直接接觸，且所述源極側第一導電類型阱具有比所述主體半導體層高的所述第一導電類型的摻雜劑的原子濃度， 其中位于柵極介電質之下的所述溝道區在側向上延伸穿過所述源極側第一導電類型阱的上部部分且穿過所述主體半導體層的上部部分。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。