鎧俠股份有限公司大久保拓郎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113972144B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110214693.4，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由大久保拓郎;林秀和設計研發完成，并于2021-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法。本發明的半導體裝置的制造方法是將第1半導體襯底與第2半導體襯底貼合而形成積層體，在設置在所述第1半導體襯底的外周部與所述第2半導體襯底的外周部間的間隙，嵌入具有第1粘度的第1填充材，將所述第1填充材嵌入所述間隙后，以與所述第1填充材相鄰的方式將第2填充材嵌入所述間隙，并使所述第2半導體襯底變薄，其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度。
本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于： 將第1半導體襯底與第2半導體襯底貼合而形成積層體； 對設置在所述第1半導體襯底的外周部與所述第2半導體襯底的外周部間的間隙，嵌入具有第1粘度的第1填充材； 將所述第1填充材嵌入所述間隙后，以與所述第1填充材相鄰的方式將第2填充材嵌入所述間隙，其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度； 使所述第2半導體襯底變??；且 所述間隙包含：第1間隙部以及第2間隙部，在所述積層體的剖視時，所述第2間隙部比所述第1間隙部厚； 所述第1填充材嵌入所述第1間隙部，所述第2填充材嵌入所述第2間隙部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人鎧俠股份有限公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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