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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利PMOS管觸發(fā)雙向硅控整流器獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113903732B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111151124.6，技術領域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權PMOS管觸發(fā)雙向硅控整流器是由朱天志;黃冠群;陳昊瑜;邵華設計研發(fā)完成，并于2021-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本PMOS管觸發(fā)雙向硅控整流器在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種PMOS管觸發(fā)雙向硅控整流器，包括：襯底；深N阱，位于所述襯底上方；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱及第三N阱，從左至右依次排列于所述深N阱上方；第一PMOS管，包括P型柵極及位于所述P型柵極兩側的P型源漏區(qū)；兩個N型摻雜區(qū)，分別位于所述第一P阱和所述第二P阱中；具有PMOS管的靜電脈沖偵測電路，具有控制端口及兩個電壓端口，每個所述電壓端口分別與對應的所述P型源漏區(qū)及對應的所述N型摻雜區(qū)電性連接，所述控制端口與所述P型柵極電性連接以向所述P型柵極輸出控制電壓控制所述第一PMOS管的通斷；本發(fā)明降低了雙向硅控整流器的觸發(fā)電壓，提高了其適用性。

本發(fā)明授權PMOS管觸發(fā)雙向硅控整流器在權利要求書中公布了：1.一種PMOS管觸發(fā)雙向硅控整流器，其特征在于，包括： 襯底； 深N阱，位于所述襯底上方； 第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱及第三N阱，從左至右依次排列于所述深N阱上方； 第一PMOS管，包括P型柵極及位于所述P型柵極兩側的P型源漏區(qū)，所述P型柵極位于所述第二N阱上方，所述P型柵極兩側的P型源漏區(qū)分別位于所述第一P阱與所述第二N阱的交界處和所述第二N阱與所述第二P阱的交界處； 兩個N型摻雜區(qū)，分別位于所述第一P阱和所述第二P阱中，且每個所述N型摻雜區(qū)與對應的所述P型源漏區(qū)通過溝槽隔離結構隔離開，其中，所述第一N阱、所述第一P阱、所述第二N阱、所述第二P阱及所述第三N阱的深度均大于所述P型源漏區(qū)及所述N型摻雜區(qū)的深度； 具有PMOS管的靜電脈沖偵測電路，具有控制端口及兩個電壓端口，每個所述電壓端口分別與對應的所述P型源漏區(qū)及對應的所述N型摻雜區(qū)電性連接，兩個所述電壓端口之間具有電壓差，所述控制端口與所述P型柵極電性連接以向所述P型柵極輸出控制電壓控制所述第一PMOS管的通斷。

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