長鑫存儲技術有限公司潘凡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體器件的制造方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116053197B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111266168.3，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種半導體器件的制造方法及半導體器件是由潘凡設計研發完成，并于2021-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件的制造方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有至少一個溝槽；在所述溝槽內形成第一多晶硅層，所述第一多晶硅層覆蓋所述溝槽的側壁和底部，且未完全填充所述溝槽；對所述第一多晶硅層執行退火工藝；在執行所述退火工藝后，在所述溝槽未被所述第一多晶硅層填充的區域處形成第二多晶硅層。有效減少填充于溝槽內的第一多晶硅層和第二多晶硅層中的孔隙，提高半導體器件的電性能。
本發明授權一種半導體器件的制造方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供襯底，所述襯底具有至少一個溝槽； 在所述溝槽內形成第一多晶硅層，所述第一多晶硅層覆蓋所述溝槽的側壁和底部，且未完全填充所述溝槽； 對所述第一多晶硅層執行退火工藝； 在執行所述退火工藝后，在所述溝槽未被所述第一多晶硅層填充的區域處形成第二多晶硅層； 其中所述第一多晶硅層在執行所述退火工藝之前，所述溝槽未被所述第一多晶硅層填充的區域構成第一開口，所述第一開口具有上窄下寬的截面形狀；所述第一多晶硅層在執行所述退火工藝后，所述溝槽未被所述第一多晶硅層填充的區域構成第二開口，所述第二開口具有上寬下窄的截面形狀。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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