三菱電機株式會社鈴木健司獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114597249B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111457673.6，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由鈴木健司;原口友樹;南竹春彥;星泰暉;吉田拓彌;纐纈英典;宮田祐輔;清井明設計研發完成，并于2021-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明的目的在于提供能夠容易地提高柵極耐壓的半導體裝置及其制造方法。本發明涉及的半導體裝置具有：第1導電型的硅基板，其具有單元部和在俯視觀察時將該單元部包圍的末端部；第1導電型的發射極層，其設置于單元部的硅基板的表面；第2導電型的集電極層，其設置于單元部的硅基板的背面；第1導電型的漂移層，其設置于發射極層和集電極層之間；溝槽柵極，其是以從發射極層的表面到達漂移層的方式設置的；以及第2導電型的阱層，其設置于末端部的硅基板的表面，在單元部處晶體缺陷所包含的空位比在末端部處晶體缺陷所包含的空位少。
本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其具有： 第1導電型的硅基板，其具有單元部和在俯視觀察時將該單元部包圍的末端部； 第1導電型的發射極層，其設置于所述單元部的所述硅基板的表面； 第2導電型的集電極層，其設置于所述單元部的所述硅基板的背面； 第1導電型的漂移層，其設置于所述發射極層與所述集電極層之間； 溝槽柵極，其是以從所述發射極層的表面到達所述漂移層的方式設置的；以及 第2導電型的阱層，其設置于所述末端部的所述硅基板的表面， 在所述單元部處晶體缺陷所包含的空位比在所述末端部處晶體缺陷所包含的空位少， 所述單元部的填隙式硅比所述末端部的填隙式硅多。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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