深圳先進(jìn)技術(shù)研究院李佳獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳先進(jìn)技術(shù)研究院申請(qǐng)的專利一種光調(diào)控的石墨烯異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114300619B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111499620.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10K30/65;該發(fā)明授權(quán)一種光調(diào)控的石墨烯異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法是由李佳;姚智奇;劉志鍇;喻學(xué)鋒設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種光調(diào)控的石墨烯異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了:一種光調(diào)控的石墨烯異質(zhì)結(jié)晶體管,其特征在于,其由柵極、絕緣層、石墨烯納米帶陣列、源極、漏極以及有機(jī)半導(dǎo)體層制成,其中在柵極上設(shè)置絕緣層,絕緣層表面設(shè)置石墨烯納米帶陣列,在石墨烯納米帶陣列表面、沿著石墨烯納米帶陣列延伸方向的兩端設(shè)置源極和漏極,并在源極和漏極之間、石墨烯納米帶陣列表面上以及石墨烯納米帶陣列的帶間設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層,其中,石墨烯納米帶陣列的帶間寬度設(shè)置為使其在紅外波段可激發(fā)石墨烯等離激元。本發(fā)明將石墨烯超構(gòu)表面與有機(jī)半導(dǎo)體有機(jī)結(jié)合,利用紅外光直接對(duì)石墨烯的費(fèi)米能級(jí)進(jìn)行調(diào)控,提供了一種調(diào)控石墨烯載流子濃度的方法,進(jìn)而在紅外波段實(shí)現(xiàn)石墨烯等離激元的靈活調(diào)控。
本發(fā)明授權(quán)一種光調(diào)控的石墨烯異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種光調(diào)控的石墨烯異質(zhì)結(jié)晶體管,其特征在于,其由柵極、絕緣層、石墨烯納米帶陣列、源極、漏極以及有機(jī)半導(dǎo)體層制成,其中在柵極上設(shè)置絕緣層,絕緣層表面設(shè)置石墨烯納米帶陣列,在石墨烯納米帶陣列表面、沿著石墨烯納米帶陣列延伸方向的兩端設(shè)置源極和漏極,并在源極和漏極之間、石墨烯納米帶陣列表面上以及石墨烯納米帶陣列的帶間設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層, 其中,石墨烯納米帶陣列的帶間寬度設(shè)置為使其在紅外波段可激發(fā)石墨烯等離激元; 所述有機(jī)半導(dǎo)體層用于吸收紅外光產(chǎn)生電子-空穴對(duì),并且在石墨烯納米帶陣列和有機(jī)半導(dǎo)體層的界面上分離; 所述有機(jī)半導(dǎo)體層的價(jià)帶能級(jí)低于石墨烯的費(fèi)米能級(jí)。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人深圳先進(jìn)技術(shù)研究院,其通訊地址為:518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗大學(xué)城學(xué)苑大道1068號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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