華中科技大學(xué);湖北江城實(shí)驗(yàn)室程偉明獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué);湖北江城實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專利一種具有突觸特性的摻雜型鐵酸鉍憶阻器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114361337B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111682062.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10N70/20;該發(fā)明授權(quán)一種具有突觸特性的摻雜型鐵酸鉍憶阻器及其制備方法是由程偉明;程敏;趙雨薇;蘇睿;繆向水設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種具有突觸特性的摻雜型鐵酸鉍憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種具有突觸特性的摻雜型鐵酸鉍憶阻器及其制備方法,該憶阻器依次包括襯底、底電極、功能層和頂電極;所述功能層為摻雜鐵酸鉍薄膜,所述摻雜鐵酸鉍薄膜的材料為A位單摻雜、B位單摻雜或A位與B位共摻雜的鐵酸鉍,A位摻雜元素為稀土金屬元素和堿土金屬元素中的至少一種,B位摻雜元素為3d過渡金屬元素。本發(fā)明憶阻器通過對(duì)鐵酸鉍進(jìn)行摻雜,使得器件具備多種阻態(tài),在脈沖調(diào)制下,既可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的二值存儲(chǔ)又可實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)連續(xù)可調(diào)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)與生物突觸相類似的功能,可廣泛應(yīng)用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域研究。
本發(fā)明授權(quán)一種具有突觸特性的摻雜型鐵酸鉍憶阻器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種具有突觸特性的摻雜型鐵酸鉍憶阻器,其特征在于:依次包括襯底、底電極、功能層和頂電極; 所述功能層為摻雜鐵酸鉍薄膜,所述摻雜鐵酸鉍薄膜的材料為B位Mn元素?fù)诫s的鐵酸鉍,其中Mn元素的摻雜濃度為6at%~20at%,能夠在鐵酸鉍中形成MnO2團(tuán)簇物,當(dāng)外加電場(chǎng)時(shí),氧空位形成的導(dǎo)電絲細(xì)且分散,在斷開時(shí)導(dǎo)電絲能夠有規(guī)律地逐根斷裂,使器件電阻值發(fā)生連續(xù)變化。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華中科技大學(xué);湖北江城實(shí)驗(yàn)室,其通訊地址為:430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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