上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司廖世保獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司申請的專利一種晶圓洗邊蝕刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114420536B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111643643.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種晶圓洗邊蝕刻方法是由廖世保;徐銘;鄧信甫設計研發完成，并于2021-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種晶圓洗邊蝕刻方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種晶圓洗邊蝕刻方法，包括：步驟S1，獲取一晶圓并將晶圓放置于一放置臺上；步驟S2，控制放置臺進行旋轉，并控制多個噴淋管依次噴淋溶液對晶圓的邊緣進行復層洗邊蝕刻。有益效果是本方法采用多個噴淋管依次噴淋第一溶液、第二溶液和第三溶液對晶圓的邊緣進行洗邊蝕刻，以完全清除晶圓邊緣的表面物質并有效提升清洗蝕刻效果。
本發明授權一種晶圓洗邊蝕刻方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓洗邊蝕刻方法，其特征在于，具體包括以下步驟: 步驟S1，獲取一晶圓并將所述晶圓放置于一放置臺上； 步驟S2，控制所述放置臺進行旋轉，并控制多個噴淋管依次噴淋溶液對所述晶圓的邊緣進行洗邊蝕刻； 所述步驟S2中，使用純凈空氣吹送單元投以熱風吹送至晶圓表面進行氣流增速，在晶圓底部形成中心位置常溫，在晶圓邊緣位置增溫，將溶液的流動與處理集中在晶圓邊緣位置，采用階梯化強對流的方式進行流動； 所述噴淋管中設置垂直升降的相位移動的多道腔體，兩兩間隔的腔體為一個組合，一個組合的腔體搭配兩邊對稱的垂直升降裝置進行相位排列分布。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司，其通訊地址為：200241 上海市閔行區紫海路170號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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