中國科學院微電子研究所李永亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利具有高驅動能力和陡峭SS特性的半導體器件及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114566549B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210131205.8，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權具有高驅動能力和陡峭SS特性的半導體器件及制造方法是由李永亮;程曉紅;趙飛;羅軍;王文武設計研發完成，并于2022-02-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有高驅動能力和陡峭SS特性的半導體器件及制造方法在說明書摘要公布了：公開了一種半導體器件及其制造方法。根據實施例，半導體器件可以包括：襯底；溝道部，包括：第一部分，包括相對于襯底突出的鰭狀結構；第二部分，在第一部分上方且與第一部分間隔開，包括一個或多個彼此間隔開的納米線或納米片；源漏部，設于溝道部在第一方向上的相對兩側，與溝道部相接；以及柵堆疊，在襯底上沿與第一方向交叉的第二方向延伸，以與溝道部相交。
本發明授權具有高驅動能力和陡峭SS特性的半導體器件及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括： 在襯底上設置沿第一方向延伸的脊狀結構，其中所述脊狀結構至少在上部具有第一多個半導體層的第一疊層； 在所述襯底上形成沿與第一方向交叉的第二方向延伸的偽柵，以與所述脊狀結構相交； 在所述襯底上形成層間電介質層，所述層間電介質層露出所述偽柵； 去除所述偽柵，從而在所述層間電介質層中形成柵槽； 在所述柵槽中，從所述脊狀結構的所述第一疊層中去除部分半導體層，以形成一個或多個彼此分離的納米線或納米片，且所述脊狀結構的下部與所述納米線或納米片分離而形成鰭狀結構；以及 在所述柵槽中形成柵堆疊，以與所述納米線或納米片以及所述鰭狀結構相交。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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