西安電子科技大學楊凌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利具有結終端延伸結構的肖特基二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823924B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210192800.2，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權具有結終端延伸結構的肖特基二極管及其制備方法是由楊凌;張濛;王平;侯斌;武玫;宓珉瀚;朱青;馬曉華;郝躍設計研發完成，并于2022-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有結終端延伸結構的肖特基二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有結終端延伸結構的肖特基二極管及其制備方法，其特征在于，該二極管包括陰極、n+?Ga2O3襯底層、n??Ga2O3緩沖層、P型區、陽極；其中，陰極、n+?Ga2O3襯底層、n??Ga2O3緩沖層自下而上依次設置；n??Ga2O3緩沖層左右兩端各設有一組凹槽結構，P型區覆蓋于凹槽結構內和凹槽結構上方的n??Ga2O3緩沖層表面，以形成結終端延伸結構；陽極覆蓋在n??Ga2O3緩沖層中間的上表面，并向兩端延伸至覆蓋部分P型區的上表面。其中，P型區采用氮化鎵材料。本發明采用結終端延伸結構，引入深度遞增的P型凹槽，利用產生的橫向PN結分散肖特基結邊緣處的電場，使器件具有更平滑的等電位輪廓，降低了峰值電場，同時以P型GaN作為P型區規避了P型Ga2O3制備困難的問題。
本發明授權具有結終端延伸結構的肖特基二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有結終端延伸結構的肖特基二極管，其特征在于，包括：陰極1、n+-Ga2O3襯底層2、n--Ga2O3緩沖層3、P型區4、陽極5；其中， 所述陰極1、n+-Ga2O3襯底層2、n--Ga2O3緩沖層3自下而上依次設置； 所述n--Ga2O3緩沖層3左右兩端各設有一組凹槽結構，所述P型區4覆蓋于所述凹槽結構內和凹槽結構上方的n--Ga2O3緩沖層3表面，以形成結終端延伸結構； 所述陽極5覆蓋在所述n--Ga2O3緩沖層3中間的上表面，并向兩端延伸至覆蓋部分所述P型區4的上表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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