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龍圖騰網(wǎng)獲悉國(guó)科大杭州高等研究院申請(qǐng)的專利一種基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114824068B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210311731.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器及其制備方法是由單玉鳳;朱家旗;殷子薇;鄧惠勇;戴寧設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器的制備方法，包括如下步驟：步驟1，采用濺射或蒸鍍工藝在襯底上沉積導(dǎo)電薄膜作為底電極；步驟2，制備二維層狀銅基硫族化合物材料，通過(guò)轉(zhuǎn)移法轉(zhuǎn)移至底電極上，作為憶阻功能層；步驟3，采用濺射或蒸鍍工藝在憶阻功能層上沉積一層Cu導(dǎo)電層；步驟4，在Cu導(dǎo)電層上蒸鍍一層金屬層作為頂電極，最終得到基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器。本發(fā)明制備的憶阻器利用銅基硫族化合物中本身具有的Cu空位作為Cu離子遷移通道，遷移勢(shì)壘低，不需表面額外做異質(zhì)層，器件即具有低的開關(guān)電壓1V。

本發(fā)明授權(quán)一種基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1，采用濺射或蒸鍍工藝在襯底上沉積導(dǎo)電薄膜作為底電極； 步驟2，制備二維層狀銅基硫族化合物材料，通過(guò)轉(zhuǎn)移法轉(zhuǎn)移至底電極上，作為憶阻功能層； 步驟3，采用濺射或蒸鍍工藝在憶阻功能層上沉積一層Cu導(dǎo)電層； 步驟4，在Cu導(dǎo)電層上蒸鍍一層金屬層作為頂電極，最終得到基于二維層狀銅基硫族化合物的憶阻器， 二維層狀銅基硫族化合物的化合物組成為BiCuOX，其中X為S或Se的一種或兩種。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人國(guó)科大杭州高等研究院，其通訊地址為：310012 浙江省杭州市西湖區(qū)象山支弄1號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。