華南理工大學李國強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種氮化鋁壓電材料及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114824057B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210402403.3，技術領域涉及：H10N30/85；該發明授權一種氮化鋁壓電材料及其制備方法和應用是由李國強;羅添友;胡晗;李陳陽;歐陽佩東設計研發完成，并于2022-04-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化鋁壓電材料及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氮化鋁壓電材料及其制備方法和應用。本發明的氮化鋁壓電材料的化學式為ScxMgyAl1?x?yN，式中，0≤x1，0≤y1，x+y1，且x和y不能同時為0。本發明的氮化鋁壓電材料的制備方法包括以下步驟：1通過磁控濺射在襯底上沉積AlN薄膜，再進行熱處理和氮化處理；2通過MOCVD法在AlN薄膜上生長AlN成核層，再在AlN成核層上生長Mg或和Sc摻雜的AlN薄膜，再去除Mg或和Sc摻雜的AlN薄膜以外的部分，即得氮化鋁壓電材料。本發明的氮化鋁壓電材料的機電耦合常數大、質量因數Q合適，且其制備方法簡單，在FBAR濾波器中具有很好的應用前景。
本發明授權一種氮化鋁壓電材料及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種氮化鋁壓電材料，其特征在于，化學式如下： ScxMgyAl1-x-yN，式中，0≤x1，0≤y1，x+y1，且x和y不能同時為0； 所述氮化鋁壓電材料是由包括以下步驟的制備方法制成： 1通過磁控濺射在襯底上沉積AlN薄膜，再進行熱處理和氮化處理； 2通過有機金屬化合物化學氣相沉積法在AlN薄膜上生長AlN成核層，再通入Mg源或和Sc源后在AlN成核層上生長Mg或和Sc摻雜的AlN薄膜，再進行刻蝕和剝離去除Mg或和Sc摻雜的AlN薄膜以外的部分，即得氮化鋁壓電材料； 步驟1所述AlN薄膜的厚度為50nm～200nm； 步驟1所述熱處理在H2氣氛或N2氣氛中進行，熱處理溫度為850℃～1150℃，熱處理時間為3min～7min； 步驟1所述氮化處理在850℃～1150℃下進行； 步驟2所述AlN成核層的厚度為20nm～100nm； 步驟2所述Mg或和Sc摻雜的AlN薄膜的厚度為0.05μm～2μm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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