華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司徐成獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司申請的專利一種扇出封裝結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975315B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210652917.4，技術領域涉及：H01L23/373；該發明授權一種扇出封裝結構及其形成方法是由徐成;孫鵬;曹立強設計研發完成，并于2022-06-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種扇出封裝結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種扇出封裝結構，包括：第一互連結構，其包括多個第一絕緣層和位于多個第一絕緣層中的多個金屬重布線層，且多個金屬重布線層之間電連接；第二絕緣層，其位于第一互連結構的正面；金屬緩沖層，其位于第二絕緣層中，并與金屬重布線層電連接；管腳，其與金屬重布線層電連接；第三絕緣層，其位于金屬緩沖層上；凸點下金屬化層，其位于管腳上；芯片，其布置在凸點下金屬化層上；底填膠，其布置在芯片與第三絕緣層之間；塑封層，其將第三絕緣層至芯片的背面之間塑封；金屬層，其位于扇出封裝結構的側面和背面，并與芯片和金屬緩沖層電連接；以及焊球，其與布置在第一互連結構的背面。
本發明授權一種扇出封裝結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種扇出封裝結構，包括： 第一互連結構，其包括多個第一絕緣層和位于多個第一絕緣層中的多個金屬重布線層，且多個所述金屬重布線層之間電連接； 第二絕緣層，其位于所述第一互連結構的正面； 金屬緩沖層，其位于所述第二絕緣層中，并與金屬重布線層電連接；所述金屬緩沖層為整面金屬層或網狀金屬層，且具有多個不含金屬的空白區域； 管腳，其與所述金屬重布線層電連接；所述管腳位于所述金屬緩沖層的空白區域中，且所述管腳與金屬緩沖層之間填充有所述第二絕緣層； 第三絕緣層，其位于所述金屬緩沖層上； 凸點下金屬化層，其位于所述管腳上； 芯片，其布置在所述凸點下金屬化層上； 底填膠，其布置在所述芯片與所述第三絕緣層之間； 塑封層，其將所述第三絕緣層至所述芯片的背面之間塑封； 金屬層，其位于所述扇出封裝結構的側面和背面，并與所述芯片和所述金屬緩沖層電連接；以及 焊球，其與布置在所述第一互連結構的背面。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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