買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種具有新型漏極場板的GaN基HEMT器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115101589B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210726936.7，技術領域涉及：H10D64/00；該發明授權一種具有新型漏極場板的GaN基HEMT器件及其制備方法是由袁嵩;張世杰;江希;姜濤;嚴兆恒;何艷靜;弓小武設計研發完成，并于2022-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有新型漏極場板的GaN基HEMT器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有新型漏極場板的GaN基HEMT器件及其制備方法，所述器件包括自下而上依次堆疊設置的襯底、AlN成核層、GaN過渡層和勢壘層，其中，在勢壘層的上表面兩端分別設置有源極和漏極，源極和漏極之間設置有柵極，在源極和漏極外側分別形成向下延伸至AlN成核層上表面或內部的臺面；在勢壘層上表面均覆蓋有鈍化層；鈍化層的上表面包括彎折形的漏極場板，漏極場板的一端延伸至源極上方，另一端延伸至漏極上方，漏極場板與漏極電氣連接；在漏極場板的上表面以及鈍化層其余區域上表面覆蓋有保護層。本發明利用彎折形漏極場板連接漏電極，在較短的漏源間距下優化電場分布，有效提高了器件的長期可靠性及擊穿效率。

本發明授權一種具有新型漏極場板的GaN基HEMT器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有新型漏極場板的GaN基HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次堆疊的襯底1、AlN成核層2、GaN過渡層3和勢壘層4，其中， 所述勢壘層4的上表面兩端分別設置有源極5和漏極6，所述源極5和所述漏極6之間設置有柵極8，在所述源極5和所述漏極6外側分別形成向下延伸至所述AlN成核層2上表面或內部的臺面7； 所述柵極8、所述源極5、所述漏極6的上表面以及所述勢壘層4剩余區域上表面均覆蓋有鈍化層9； 所述鈍化層9的上表面包括彎折形的漏極場板11，所述漏極場板11的下表面延伸至所述鈍化層9的內部，上表面與所述鈍化層9上表面齊平；沿垂直于襯底1所在平面的方向，所述漏極場板11的正投影為連續的弓字形結構或S型結構，所述漏極場板11的一端延伸至所述源極5上方且垂直覆蓋所述源極5至少一部分，另一端延伸至所述漏極6上方且垂直覆蓋所述漏極6至少一部分，所述漏極場板11與所述漏極6電氣連接； 所述漏極場板11的上表面以及所述鈍化層9其余區域上表面覆蓋有保護層12。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。