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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京量子信息科學(xué)研究院申請的專利真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115411176B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210951179.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/80；該發(fā)明授權(quán)真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的方法是由曹易;王超;任睿智設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的方法。該真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器包括隨機(jī)數(shù)發(fā)生模塊，其包括：導(dǎo)電層，兩端分別設(shè)有用于通入第一電流的第一電極和第二電極以及并列地設(shè)置在導(dǎo)電層上的多個磁隧道結(jié)，每個磁隧道結(jié)均包括：第一磁性層，位于導(dǎo)電層之上；自旋流抵消層，位于第一磁性層之上；絕緣勢壘層，位于自旋流抵消層之上；第二磁性層，位于絕緣勢壘層之上；釘扎層，位于第二磁性層之上；其中，每個磁隧道結(jié)的釘扎層的遠(yuǎn)離第二磁性層的一端均設(shè)有第三電極，第一電極和第三電極用于通入第二電流。本發(fā)明提供的真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器，集成度高、隨機(jī)性好和使用壽命長，具有很好的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器，其特征在于，包括隨機(jī)數(shù)發(fā)生模塊，其中所述隨機(jī)數(shù)發(fā)生模塊包括： 導(dǎo)電層，兩端分別設(shè)有第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極用于通入第一電流；以及 多個磁隧道結(jié)，并列地設(shè)置在所述導(dǎo)電層上； 其中，所述多個磁隧道結(jié)中的每個磁隧道結(jié)均包括： 第一磁性層，位于所述導(dǎo)電層之上，易磁化方向垂直于所述導(dǎo)電層與所述第一磁性層的交界面，被配置成在所述第一電流的焦耳熱作用下，所述第一磁性層的磁矩克服翻轉(zhuǎn)能量勢壘向垂直于所述交界面向上或向下的方向隨機(jī)翻轉(zhuǎn)； 自旋流抵消層，位于所述第一磁性層之上，用于抵消所述導(dǎo)電層與所述第一磁性層的交界面上產(chǎn)生的自旋流對所述第一磁性層的磁矩產(chǎn)生的自旋軌道矩； 絕緣勢壘層，位于所述自旋流抵消層之上； 第二磁性層，位于所述絕緣勢壘層之上，易磁化方向垂直于所述絕緣勢壘層與所述第二磁性層的交界面；以及 釘扎層，位于所述第二磁性層之上，用于固定所述第二磁性層的磁矩方向； 其中，所述多個磁隧道結(jié)中的每個磁隧道結(jié)的所述釘扎層遠(yuǎn)離所述第二磁性層的一端均設(shè)有第三電極，所述第一電極和所述第三電極用于通入第二電流。

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