武漢華星光電技術有限公司李治福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉武漢華星光電技術有限公司申請的專利半導體器件及電子器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115621324B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211051194.9，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體器件及電子器件是由李治福;劉廣輝;戴超;艾飛;宋德偉;羅成志設計研發完成，并于2022-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及電子器件在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體器件及電子器件，該半導體器件包括絕緣基底、及設置于絕緣基底上的薄膜晶體管層，薄膜晶體管層包括設置于絕緣基底上的第一有源層、絕緣層以及第二有源層，絕緣層設置于第一有源層和第二有源層之間且覆蓋第一有源層；其中，本申請通過設置絕緣層形成有位于第一有源層上的通孔，薄膜晶體管層還包括至少部分位于通孔的側壁上的第三有源層，第三有源層的一側與第一有源層連接，第三有源層的另一側與第二有源層連接，從而減小了溝道長度，降低短溝道效應，提升了開態電流，降低了功耗；并且進一步縮小所述半導體器件所占用面積減小，提高了半導體器件的集成度，有利于開發高PII、高刷新率產品以及實現部分IC功能。
本發明授權半導體器件及電子器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 絕緣基底； 薄膜晶體管層，設置于所述絕緣基底上，所述薄膜晶體管層包括層疊設置于所述絕緣基底上的第一有源層、絕緣層以及第二有源層，所述絕緣層設置于所述第一有源層和所述第二有源層之間且覆蓋所述第一有源層； 其中，所述絕緣層形成有位于所述第一有源層上的通孔，所述薄膜晶體管層還包括至少部分位于所述通孔的側壁上的第三有源層，所述第三有源層的一側與所述第一有源層連接，所述第三有源層的另一側與所述第二有源層連接，所述薄膜晶體管層還包括位于所述絕緣層和所述第二有源層之間的阻擋層，至少部分所述阻擋層位于所述通孔內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢華星光電技術有限公司，其通訊地址為：430079 湖北省武漢市東湖開發區高新大道666號生物城C5棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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