杭州極弱磁場(chǎng)重大科技基礎(chǔ)設(shè)施研究院鄭世強(qiáng)獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州極弱磁場(chǎng)重大科技基礎(chǔ)設(shè)施研究院申請(qǐng)的專利一種磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115509130B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202211191874.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G05B13/04;該發(fā)明授權(quán)一種磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置是由鄭世強(qiáng);田鵬濤;文通;周金祥;毛琨;王坤;樂韻設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-09-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開一種磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置,包括:線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器、線性擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器、磁通門傳感器、壓控型電流源和方形亥姆霍茲線圈;壓控型電流源與線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器連接,線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器與線性擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器連接,線性擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器與磁通門傳感器連接,磁通門傳感器與方形亥姆霍茲線圈連接。本發(fā)明能夠減少磁屏蔽艙所需要的被動(dòng)磁屏蔽層的層數(shù),降低成本;所采用的外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償方法能夠提高主動(dòng)磁補(bǔ)償裝置的抗磁場(chǎng)干擾的能力;帶偏置調(diào)節(jié)的壓控電流源能夠抵消磁通門偏置電壓帶來的影響、為補(bǔ)償靜態(tài)剩磁和外部干擾磁場(chǎng)提供所需要的電流。
本發(fā)明授權(quán)一種磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置,其特征在于,包括:線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器、線性擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器、磁通門傳感器、壓控型電流源和方形亥姆霍茲線圈; 所述壓控型電流源與所述線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器連接,所述線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器與所述線性擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器連接,所述線性擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器與所述磁通門傳感器連接,所述磁通門傳感器與所述方形亥姆霍茲線圈連接; 對(duì)所述磁屏蔽艙外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償裝置的被控對(duì)象進(jìn)行建模,所述被控對(duì)象的狀態(tài)方程為: 式中,y為系統(tǒng)輸出狀態(tài);x1、x2分別為系統(tǒng)狀態(tài)和擴(kuò)張狀態(tài);為系統(tǒng)狀態(tài)的導(dǎo)數(shù);為擴(kuò)張狀態(tài)的導(dǎo)數(shù);fsum為集總擾動(dòng);kd為電流環(huán)差分放大系數(shù);kp為電流環(huán)比例系數(shù);kw為電流環(huán)功率放大器放大倍數(shù);L為磁補(bǔ)償線圈電感;rsum為采樣電阻與負(fù)載電阻的總阻值;rs為采樣電阻阻值;kiv為儀表放大器放大倍數(shù);Z為線圈匝數(shù);Bs為線圈常數(shù);km為磁通門傳感器轉(zhuǎn)換系數(shù);kinad進(jìn)入模數(shù)轉(zhuǎn)換器前對(duì)信號(hào)的放大倍數(shù);kad為模數(shù)轉(zhuǎn)換系數(shù);kda為數(shù)模轉(zhuǎn)換系數(shù);dv為電流環(huán)中的電流擾動(dòng);db為動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)干擾和靜態(tài)剩磁的總和; 所述擴(kuò)張狀態(tài)的空間方程為: 式中,z1為系統(tǒng)輸出狀態(tài)的估計(jì)值;z2為系統(tǒng)擾動(dòng)狀態(tài)的估計(jì)值;表示系數(shù)矩陣;表示輸入為u時(shí)的輸入矩陣;為輸入為y時(shí)的輸入矩陣;為系統(tǒng)狀態(tài)觀測(cè)值的導(dǎo)數(shù);為擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)值的導(dǎo)數(shù); 所述線性外部磁場(chǎng)干擾補(bǔ)償器的輸出量為: 式中,u為控制量;Kp、b1為調(diào)節(jié)參數(shù);Bref為磁屏蔽艙的磁場(chǎng)參考率。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人杭州極弱磁場(chǎng)重大科技基礎(chǔ)設(shè)施研究院,其通訊地址為:310052 浙江省杭州市濱江區(qū)濱安路465號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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