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龍圖騰網獲悉華東光電集成器件研究所申請的專利一種毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116053132B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211342034.X，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權一種毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料制備方法是由李文翰;廖啟超;潘結斌;陳婧瑤;史一明;李澤瑞;王文婧;郁兆華設計研發完成，并于2022-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料制備方法,采用多次離子注入工藝手段，在本征硅層上利用數次磷、硼雜質的離子注入與RTA退火工藝，使得材料內部雜質元素凈摻雜分布按照IMPATT管器件設計的P+、P、N與N+區4個區域，形成不同的分布較為均勻的濃度分布臺階。本明具有操作步驟簡單、實施方式簡便，生產成本低廉，制備周期短等優點。

本發明授權一種毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料制備方法在權利要求書中公布了：1.一種毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：S1、取一片硅片作為N型低阻襯底層（2），在N型低阻襯底層（2）上表面上生成出本征硅層（10），在本征硅層（10）設有氧化的保護層（1）； S2、在N型低阻襯底層（2）一側的本征硅層（10）內通過至少一次的磷元素離子注入與RTA退火制備出IMPATT器件的N區（3）； S3、在N區（3）一側的本征硅層外延層內通過至少一次的硼元素離子注入與RTA制備出IMPATT器件的P區（4）； S4、P區（4）和保護層（1）之間的本征硅層（10）內通過至少一次硼元素離子注入與RTA退火制備出IMPATT器件的P+區（5）； S5、在保護層（1）表面再設置補償層（6）； S6、在P+區（5）再次注入硼元素離子進行補償，從而確保P+區（5）與保護層（1）界面處硼元素離子的濃度； S7、采用濕法腐蝕的方法去除保護層（1）和補償層（6）從而得到毫米波寬帶IMPATT管超薄硅材料； 所述S1中的N型低阻襯底層（2）為N111砷摻雜，厚度625±10微米，電阻率0.002-0.003Ω·cm；所述本征硅層（10）的外延層厚度為0.9～1.4μm，所述保護層（1）為二氧化硅淀積厚度為300?； 在所述步驟S6中再次注入硼元素離子，注入能量為20～40keV，劑量為1e14～1.2e14Atomscm2；而后再次進行RTA退火激活，退火溫度1000℃，時間30～40s。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華東光電集成器件研究所，其通訊地址為：233030 安徽省蚌埠市經開區湯和路2016號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。