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龍圖騰網獲悉重慶兆光科技股份有限公司申請的專利一種芯片鍵合互聯方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116110811B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211599487.0，技術領域涉及：H01L21/603；該發明授權一種芯片鍵合互聯方法是由朱智源;楊邱平;彭德光設計研發完成，并于2022-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種芯片鍵合互聯方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種芯片鍵合互聯方法，包括：提供第一待鍵合結構和第二待鍵合結構，所述第一待鍵合結構和所述第二待鍵合結構均包含呈梯狀排布的金層和錫層；將所述第一待鍵合結構和所述第二待鍵合結構進行堆疊，使得所述第一待鍵合結構的錫層與所述第二待鍵合結構的錫層相對設置；在堆疊后的所述第一待鍵合結構和所述第二待鍵合結構背離所述錫層的兩側施加壓力，并在其中一側加熱以使所述錫層與所述金層形成金錫化合物，完成鍵合。本申請金層和錫層的梯形結構可保證定向遷移的效果，可有效保證鍵合質量。

本發明授權一種芯片鍵合互聯方法在權利要求書中公布了：1.一種芯片鍵合互聯方法，其特征在于，包括： 提供第一待鍵合結構和第二待鍵合結構，所述第一待鍵合結構和所述第二待鍵合結構均包含呈梯狀排布的金層和錫層；所述第一待鍵合結構的制作步驟包括：提供第一襯底；在所述第一襯底上設置粘附層，通過所述粘附層將初始金層粘合在所述第一襯底的一側；通過電鍍對所述初始金層進行增厚，得到所述金層，在所述金層背離所述第一襯底的一側通過蒸發沉積形成錫層，所述錫層的外沿相對于所述金層的外沿向內收縮以形成所述梯狀排布；在所述金層背離所述第一襯底的一側設置錫層之后，還包括：在所述第一襯底上設置隔熱層，所述隔熱層覆蓋所述金層和所述錫層，且隔熱層為梯形結構；所述第二待鍵合結構的結構排布與所述第一待鍵合結構的結構排布相同，所述第二待鍵合結構的隔熱層與所述第一待鍵合結構的所述隔熱層采用的隔熱材料不同； 將所述第一待鍵合結構和所述第二待鍵合結構進行堆疊，使得所述第一待鍵合結構的錫層與所述第二待鍵合結構的錫層相對設置； 在堆疊后的所述第一待鍵合結構和所述第二待鍵合結構背離所述錫層的兩側施加壓力，并在其中一側加熱以使所述錫層與所述金層形成金錫化合物，完成鍵合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶兆光科技股份有限公司，其通訊地址為：400000 重慶市璧山區璧泉街道雙星大道50號7幢6-1、6-2、6-3、6-4；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。