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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽大學(xué)申請(qǐng)的專利一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116052741B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310055641.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/401；該發(fā)明授權(quán)一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路是由藺智挺;陳敏;余克峰;吳秀龍;彭春雨;李鑫;郝禮才;劉玉;趙強(qiáng);盧文娟;周永亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-01-17向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路。非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路包括三個(gè)N型晶體管M0、M1、M2、一個(gè)稱為R0的RRAM和一個(gè)電容C0；電路連接關(guān)系如下：M0、M1、M2的柵極分別作為控制端用于連接獨(dú)立的字線WL_A、WL_B和WL_C；M0和M1的源極相連并連接在位線BL上；M1的漏極和M2的源極相連，并連接在C0的一端上，C0的另一端接地；M0和M2的漏極與R0的TE端相連，R0的BE端連接到字線SL。矯正電路用于解決3T1R1C存儲(chǔ)電路數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)的數(shù)據(jù)反相問題，DRAM和存算電路以3T1R1C存儲(chǔ)電路為基本存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。本發(fā)明解決了DRAM斷電丟數(shù)據(jù)，以及執(zhí)行乘累加運(yùn)算的精度易受到位線電壓變化、驅(qū)動(dòng)波動(dòng)、器件不匹配等因素影響問題。

本發(fā)明授權(quán)一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路、矯正電路、DRAM和存算電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路；其特征在于：其作為大規(guī)模的DRAM存儲(chǔ)電路中的基本存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元可實(shí)現(xiàn)在斷電前進(jìn)行數(shù)據(jù)備份并在重新上電后進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)；所述非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路包括三個(gè)N型晶體管M0、M1、M2、一個(gè)稱為R0的RRAM和一個(gè)電容C0；電路連接關(guān)系如下：M0、M1、M2的柵極分別作為控制端用于連接獨(dú)立的字線WL_A、WL_B和WL_C；M0和M1的源極相連并連接在位線BL上；M1的漏極和M2的源極相連，并連接在C0的一端上，C0的另一端接地；M0和M2的漏極與R0的TE端相連，R0的BE端連接到字線SL； 在所述非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路中，通過C0的充放電狀態(tài)表征存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“1”或“0”；在電路斷電之前，將C0數(shù)據(jù)被備份到R0；數(shù)據(jù)備份時(shí)，利用R0的低阻狀態(tài)和高阻狀態(tài)分別用來映射存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“1”或“0”，在電路重新上電后，將R0備份的數(shù)據(jù)重新恢復(fù)至C0中，其中，所述非易失性3T1R1C存儲(chǔ)電路每次上電數(shù)據(jù)恢復(fù)操作后C0的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)與掉電前存儲(chǔ)的原始數(shù)據(jù)相反； 數(shù)據(jù)備份操作分為兩個(gè)階段：在第一階段，設(shè)置BL到1.4V以上，SL到0V，WL_A到1.8V；M0處于開啟狀態(tài)；R0被設(shè)置為低阻狀態(tài)LRS；在第二階段，將WL_A設(shè)為0V，SL設(shè)為1V，WL_C設(shè)為1.8V；M0處于關(guān)閉狀態(tài)，M2處于開啟狀態(tài)；此時(shí)，如果C0存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“1”，R0維持低阻狀態(tài)LRS；如果C0存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“0”，則R0被重置為高電平HRS。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人安徽大學(xué)，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)九龍路111號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。