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龍圖騰網獲悉昆明物理研究所申請的專利一種雙過渡層碲鎘汞多層異質結器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116230801B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310246977.0，技術領域涉及：H10F30/222；該發明授權一種雙過渡層碲鎘汞多層異質結器件及其制備方法是由俞見云;孔金丞;覃鋼;秦強;宋林偉;叢樹仁;何天應;李艷輝;趙俊;趙鵬設計研發完成，并于2023-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙過渡層碲鎘汞多層異質結器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種雙過渡層碲鎘汞多層異質結器件及其制備方法，包括碲鋅鎘CdZnTe襯底和沉積于碲鋅鎘襯底上的碲鎘汞Hg1?xCdxTe外延結構，從碲鋅鎘襯底開始依次為：重摻雜的寬帶隙n型Hg1?x1Cdx1Te接觸層N+，輕摻雜的n型Hg1? x2Cdx2Te組分梯度過渡層G?，輕摻雜的n型Hg1? x3Cdx3Te組分梯度過渡層G+，較窄帶隙輕摻雜的n型Hg1?x4Cdx4Te吸收層ν，輕摻雜的n型Hg1? x5Cdx5Te組分梯度過渡層G?，輕摻雜的n型Hg1? x6Cdx6Te組分梯度過渡層G+，重摻雜寬帶隙的p型Hg1?7Cdx7Te接觸層P+。本發明能夠提高量子效率，在高工作溫度下實現了吸收層內熱激發本征載流子的抑制，降低了俄歇復合過程從而有效降低器件的暗電流，提高了器件的工作溫度。

本發明授權一種雙過渡層碲鎘汞多層異質結器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種雙過渡層碲鎘汞多層異質結器件，包括碲鋅鎘CdZnTe襯底和沉積于碲鋅鎘襯底上的碲鎘汞Hg1-xCdxTe外延結構，其特征在于，所述外延結構從碲鋅鎘襯底開始依次為： 重摻雜的寬帶隙n型Hg1-x1Cdx1Te接觸層N+，輕摻雜的n型Hg1-x2Cdx2Te組分梯度過渡層G-，輕摻雜的n型Hg1-x3Cdx3Te組分梯度過渡層G+，較窄帶隙輕摻雜的n型Hg1-x4Cdx4Te吸收層ν，輕摻雜的n型Hg1-x5Cdx5Te組分梯度過渡層G-，輕摻雜的n型Hg1-x6Cdx6Te組分梯度過渡層G+，重摻雜寬帶隙的p型Hg1-7Cdx7Te接觸層P+； 所述輕摻雜的n型Hg1-x2Cdx2Te組分梯度過渡層G-的組分由高到低，所述輕摻雜的n型Hg1-x3Cdx3Te組分梯度過渡層G+的組分由低到高，在所述輕摻雜的n型Hg1-x2Cdx2Te組分梯度過渡層G-與輕摻雜的n型Hg1-x3Cdx3Te組分梯度過渡層G+之間形成一個Cd的組分低洼區；所述輕摻雜的n型Hg1-x5Cdx5Te組分梯度過渡層G-的組分由高到低，所述輕摻雜的n型Hg1-x6Cdx6Te組分梯度過渡層G+的組分由低到高，在所述輕摻雜的n型Hg1-x5Cdx5Te組分梯度過渡層G-與輕摻雜的n型Hg1-x6Cdx6Te組分梯度過渡層G+之間形成一個Cd的組分低洼區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人昆明物理研究所，其通訊地址為：650221 云南省昆明市五華區教場東路31號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。