電子科技大學李春獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種高靈敏度MEMS壓差傳感器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116354307B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310321370.4，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權一種高靈敏度MEMS壓差傳感器件及其制備方法是由李春;龔毅敏;劉力文;蘭長勇設計研發完成，并于2023-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高靈敏度MEMS壓差傳感器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高靈敏度微機械系統MEMS壓差傳感器件及其制備方法，所述壓差傳感器件包括帶刻蝕窗口的氮化硅SiNx薄膜、硅Si基片、SiNx懸浮結構自支撐膜、PdSe2多晶超薄膜、金屬電極及表面鈍化層。超薄PdSe2顯著的壓阻效應和超薄懸浮SiNx使得器件具有較高的壓差應力傳感特性，而高楊氏模量的SiNx保證器件壓差傳感的可靠性。優化設計的金屬電極結構形成的惠斯通電橋能抑制溫漂，確保了壓差測量的準確性。本發明的優點是硅基半導體工藝兼容，成品率高，可重復性強，穩定性好，器件靈敏度高的壓差傳感器件。
本發明授權一種高靈敏度MEMS壓差傳感器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高靈敏度MEMS壓差傳感器件，其特征在于，包括從上到下設置的封裝材料1、金屬電極2、二硒化鈀多晶薄膜3、懸浮結構的氮化硅自支撐膜4、硅基片5和帶有刻蝕窗口的氮化硅薄膜6，其中懸浮結構的氮化硅自支撐膜4上沉積有二硒化鈀多晶薄膜3與金屬電極2，二硒化鈀多晶薄膜3用封裝材料1進行封裝，硅基片5位于懸浮結構的氮化硅自支撐膜4與帶有刻蝕窗口的氮化硅薄膜6之間。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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