買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學;中電科芯片技術(shù)(集團)有限公司申請的專利一種基于水簾等離子體的活化水制備裝置及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116589041B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310335597.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C02F1/461；該發(fā)明授權(quán)一種基于水簾等離子體的活化水制備裝置及方法是由盧新培;李宜謙;劉玥汐;聶蘭蘭;劉大偉;王博;譚昕怡;胡楊;陳良設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于水簾等離子體的活化水制備裝置及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于水簾等離子體的活化水制備裝置及方法。該裝置包括：高壓電極、水簾裝置、水泵、地電極和水箱；水簾裝置包括儲水槽、通孔、進水口，繞儲水槽上端一周設(shè)置多個水簾出水口；水泵通過進水口將水溶液泵入儲水槽，儲水槽滿后從水簾出水口溢出，形成水簾；通孔放置高壓電極；高壓電極上端設(shè)置進氣口，下端設(shè)置出氣口；在水箱中心設(shè)置高于液面高度的地電極，地電極與高壓電極同軸設(shè)置構(gòu)成等離子體放電區(qū)域，用于將進氣口泵入的工作氣體擊穿產(chǎn)生等離子體，進入水簾中，以活化水溶液；水箱側(cè)面設(shè)置水溶液出水口，水箱收集經(jīng)過活化后的溶液通過水溶液出水口流出。增加了等離子體的利用效率和活化水產(chǎn)生活性粒子的效率。

本發(fā)明授權(quán)一種基于水簾等離子體的活化水制備裝置及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于水簾等離子體的活化水制備裝置，其特征在于，包括：高壓電極、水簾裝置、水泵、地電極和水箱； 所述水簾裝置包括底部封閉、上端開放的儲水槽，以及設(shè)置在所述儲水槽上端的進水口，繞所述儲水槽上端一周設(shè)置的多個水簾出水口，設(shè)置在所述儲水槽中心且高于所述儲水槽的通孔；所述水泵用于通過所述進水口將水溶液泵入所述儲水槽；所述水簾出水口用于溢出所述水溶液，形成水簾；所述通孔貫穿所述儲水槽，用于放置所述高壓電極； 所述高壓電極連接高壓電源，所述高壓電極為中空的管狀電極，上端設(shè)置進氣口，下端設(shè)置出氣口，所述進氣口連接至氣瓶，用于通入工作氣體； 在所述水箱中心設(shè)置高于所述水箱中液面高度的地電極，所述地電極與所述高壓電極同軸設(shè)置，并相距預(yù)設(shè)距離，構(gòu)成等離子體放電區(qū)域；當所述等離子體放電區(qū)域的電壓差值達到閾值時，其中的工作氣體被擊穿產(chǎn)生等離子體，進入水簾中，以活化所述水溶液；所述水箱的側(cè)面設(shè)置水溶液出水口，所述水箱用于收集經(jīng)過活化后的水溶液，并通過所述水溶液出水口流出； 所述水簾裝置的外表面設(shè)置限制槽，所述限制槽為沿所述水簾出水口至所述水簾裝置底部的凹槽，用于限制所述水溶液沿所述限制槽定向流動。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華中科技大學;中電科芯片技術(shù)(集團)有限公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。