森謝爾公司;旭化成微電子株式會社貝蒂爾·赫克獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉森謝爾公司;旭化成微電子株式會社申請的專利氣體檢測裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119546944B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202380033457.X,技術領域涉及:G01N21/3504;該發明授權氣體檢測裝置是由貝蒂爾·赫克;約納斯·容布拉德;藤田浩己;八木立志;弗洛里亞·奧托內洛·布里亞諾設計研發完成,并于2023-04-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本氣體檢測裝置在說明書摘要公布了:本發明涉及氣體檢測裝置,并且具體地涉及揮發性物質傳感器,諸如呼吸酒精裝置傳感器。根據本發明的半導體氣體傳感器裝置包括激光器結構以及形成在同一化合物半導體中的光波導諧振器,該化合物半導體包括至少一個光發射層和一個光傳播層。光波導諧振器形成在光傳播層中,并且其大部分與光傳播層的剩余部分分開。激光器結構與光波導諧振器的一部分相鄰設置,并被布置成將特定波長帶處的電磁輻射傳輸到被布置成在該特定波長帶處諧振的光波導諧振器。
本發明授權氣體檢測裝置在權利要求書中公布了:1.一種用于確定氣流內的揮發性物質的濃度的半導體氣體傳感器裝置(100),所述半導體氣體傳感器裝置(100)包括激光器結構(112)以及形成在同一化合物半導體(120)中的光波導諧振器(106),以及用于檢測在所述光波導諧振器(106)中傳播的電磁波的光功率耗散的器件(112;116),所述化合物半導體(120)包括單晶基板(101)以及設置在基板(101)上的多個外延生長的半導體單晶層(125),其中,所述多個外延生長的半導體單晶層(125)包括至少一個光發射層(103)和一個光傳播層(104),并且其中, -所述光發射層(103)至少存在于所述激光器結構(112)中,并且被布置成發射特定波長帶內的電磁輻射; -所述光波導諧振器(106、106’、106”)至少部分地由所述光傳播層(104)的一個部分構成,并且所述光波導諧振器(106、106’、106”)的主要部分與所述光傳播層(104)的剩余部分分開,并被布置成在所述特定波長帶中諧振;并且 -所述激光器結構(112)與所述光波導諧振器(106)的一部分相鄰設置,從而提供用于將所述激光器結構(112)的所述光發射層(103)中生成的所述特定波長帶內的電磁輻射傳輸到所述光波導諧振器(106)的器件, 其中,所述半導體氣體傳感器裝置(100)包括至少部分地形成在所述光傳播層(104)中并且被布置成控制所述特定波長帶的位置的MEMS調制器(114a、114b)。
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