買(mǎi)專(zhuān)利賣(mài)專(zhuān)利找龍圖騰，真高效！ 查專(zhuān)利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專(zhuān)利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)人民解放軍陸軍裝甲兵學(xué)院申請(qǐng)的專(zhuān)利一種電磁波吸收材料及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119181982B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202310739975.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01Q17/00；該發(fā)明授權(quán)一種電磁波吸收材料及其制備方法是由魏世丞;黃威;王博;王玉江;梁義設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-06-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種電磁波吸收材料及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料及其制備方法。該方法包括以下步驟：將Cu2O粉末、鉬酸銨、硫脲和水混合后進(jìn)行反應(yīng)即得電磁波吸收材料。在本發(fā)明中，利用堿離子插層的原理，通過(guò)簡(jiǎn)單的水熱法制備出了一種高1T相占比的電磁波吸收材料，將MoS2納米片的自模板生長(zhǎng)機(jī)制應(yīng)用于Cu2?xS空心盒子表面負(fù)載，避免了MoS2的過(guò)渡團(tuán)聚問(wèn)題。本發(fā)明制備的電磁波吸收材料具有良好的介電損耗和阻抗性能，是一種優(yōu)異的輕量級(jí)電磁波吸收體。

本發(fā)明授權(quán)一種電磁波吸收材料及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種電磁波吸收材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將Cu2O粉末、鉬酸銨、硫脲和水混合后進(jìn)行反應(yīng)即得電磁波吸收材料； 所述Cu2O粉末與鉬酸銨的摩爾比為3～4：0.25～1； 所述鉬酸銨和硫脲的MoS摩爾比為1：2～8； 所述反應(yīng)的溫度為160～240℃，反應(yīng)的時(shí)間為20～30h； 所述電磁波吸收材料具有MoS2包覆空心Cu9S5立方體的核殼復(fù)合結(jié)構(gòu)，在酸環(huán)境中，大量的NH4 +插入至MoS2層間，使其具有高1-T相占比，將MoS2納米片的自模板生長(zhǎng)機(jī)制應(yīng)用于Cu2-xS空心盒子表面負(fù)載，避免了MoS2的過(guò)渡團(tuán)聚問(wèn)題。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)人民解放軍陸軍裝甲兵學(xué)院，其通訊地址為：100072 北京市豐臺(tái)區(qū)杜家坎21號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。