拓荊科技(上海)有限公司劉振獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉拓荊科技(上海)有限公司申請(qǐng)的專利加熱盤、薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116970930B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202311002777.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/46；該發(fā)明授權(quán)加熱盤、薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法是由劉振;吳鳳麗設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-08-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本加熱盤、薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種加熱盤、一種薄膜沉積設(shè)備及一種薄膜沉積方法。所述加熱盤包括：基板，用于承載并加熱待加工的晶圓，以在其背面沉積薄膜；以及基座，設(shè)于所述基板的下方以支撐所述基板，其中，所述基座設(shè)有沿橫向延伸的曲面，其在加熱的過程中發(fā)生大于所述基板的熱膨脹變形，向所述基板提供橫向的拉力，以抑制所述基板的熱膨脹形變。通過在加熱盤的基座設(shè)置沿橫向延伸的曲面，利用其在加熱的過程中發(fā)生的大于基板的熱膨脹變形向基板提供橫向的拉力，本發(fā)明可以有效抑制基板的熱膨脹形變，從而提升晶圓背面的成膜質(zhì)量。
本發(fā)明授權(quán)加熱盤、薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種加熱盤，其特征在于，包括： 基板，用于承載并加熱待加工的晶圓，以在其背面沉積薄膜；以及 基座，設(shè)于所述基板的下方以支撐所述基板，其中，所述基座設(shè)有沿橫向延伸的曲面，其在加熱的過程中發(fā)生大于所述基板的熱膨脹變形，向所述基板提供橫向的拉力，以抑制所述基板的熱膨脹形變。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人拓荊科技(上海)有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)鴻音路1211號(hào)10幢304室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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