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龍圖騰網(wǎng)獲悉拓荊創(chuàng)益(沈陽)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司申請(qǐng)的專利薄膜沉積設(shè)備、薄膜沉積方法及存儲(chǔ)介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118563273B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202311773440.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/56；該發(fā)明授權(quán)薄膜沉積設(shè)備、薄膜沉積方法及存儲(chǔ)介質(zhì)是由高級(jí);蔡?hào)|坡;韓影設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-12-20向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本薄膜沉積設(shè)備、薄膜沉積方法及存儲(chǔ)介質(zhì)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種薄膜沉積設(shè)備、一種薄膜沉積方法及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。所述薄膜沉積設(shè)備包括工藝腔室、真空泵、反應(yīng)氣源、吹掃氣源及控制器。所述工藝腔室中包括晶圓托盤。所述真空泵經(jīng)由第一閥門及晶圓吸附管路連接所述晶圓托盤。所述反應(yīng)氣源經(jīng)由第二閥門連接所述工藝腔室。所述吹掃氣源經(jīng)由第三閥門連接所述工藝腔室，并經(jīng)由第四閥門及所述晶圓吸附管路連接所述晶圓托盤。本發(fā)明可以通過設(shè)置一種新的解吸附氣體通入路徑，用于緩解氣動(dòng)閥門的內(nèi)漏問題，以降低薄膜沉積設(shè)備的維護(hù)成本。

本發(fā)明授權(quán)薄膜沉積設(shè)備、薄膜沉積方法及存儲(chǔ)介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，包括： 工藝腔室，其中包括晶圓托盤； 真空泵，經(jīng)由第一閥門及晶圓吸附管路連接所述晶圓托盤； 反應(yīng)氣源，經(jīng)由第二閥門連接所述工藝腔室，用于將反應(yīng)氣體通向晶圓的正面，以對(duì)所述晶圓進(jìn)行薄膜沉積工藝； 吹掃氣源，經(jīng)由第三閥門連接所述工藝腔室，用于將吹掃氣體通向所述晶圓的正面，并經(jīng)由第四閥門及所述晶圓吸附管路連接所述晶圓托盤，用于將所述吹掃氣體通向所述晶圓的背面；以及 控制器，被配置為：在完成所述晶圓的薄膜沉積工藝之后，開啟所述第一閥門、所述第二閥門及所述第四閥門，并通過控制所述第一閥門、所述第二閥門及所述第四閥門的開度，在吸附所述晶圓的同時(shí)，清潔所述晶圓吸附管路；響應(yīng)于完成所述晶圓吸附管路的清潔，先解吸附所述晶圓，再依次關(guān)閉所述第二閥門、所述第四閥門及所述第一閥門，以將所述工藝腔室抽為真空，并將所述晶圓傳出所述工藝腔室；以及響應(yīng)于所述晶圓被傳出所述工藝腔室，開啟所述第一閥門、所述第三閥門及所述第四閥門，以同步清潔所述工藝腔室及所述晶圓吸附管路。

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