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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司;復旦大學申請的專利光電原位有源像素傳感器及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118380446B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410390172.8，技術領域涉及：H10F39/00；該發明授權光電原位有源像素傳感器及其制造方法是由萬景;曲垚儒;邵華;周利民;雷海波設計研發完成，并于2024-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本光電原位有源像素傳感器及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光電原位有源像素傳感器，器件單元結構形成于混合襯底上，混合襯底由SOI襯底和半導體襯底組成。器件單元結構包括MOS晶體管和感光結構。MOS晶體管形成于SOI襯底半導體頂層上，MOS晶體管的溝道區由半導體頂層組成。感光結構包括嵌入式PN二極管，嵌入式PN二極管包括形成于半導體外延層表面區域中的第一導電類型重摻雜的第一電極區以及由第一電極區底部的半導體外延層和半導體頂層組成的第二電極區。MOS晶體管底部的介質埋層底部位置的第一界面作為光生載流子收集端。第一電極區通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的第一電極。本發明還公開了一種光電原位有源像素傳感器的制造方法。本發明能擴大耗盡區，增加光生載流子分離和遷移速率。

本發明授權光電原位有源像素傳感器及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種光電原位有源像素傳感器，其特征在于，器件單元結構形成于混合襯底上，所述混合襯底由SOI襯底和半導體襯底組成； 所述SOI襯底包括半導體主體層，介質埋層和半導體頂層，所述介質埋層形成于所述半導體主體層表面，所述半導體頂層形成于所述介質埋層表面； 所述半導體襯底包括所述半導體主體層和形成于所述半導體主體層表面的半導體外延層； 所述半導體主體層具有第二導電類型輕摻雜，所述半導體外延層具有第二導電類型輕摻雜； 所述器件單元結構包括MOS晶體管和感光結構； 所述MOS晶體管形成于所述半導體頂層上，所述MOS晶體管的溝道區由所述半導體頂層組成； 所述感光結構包括嵌入式PN二極管，所述嵌入式PN二極管包括形成于所述半導體外延層表面區域中的第一導電類型重摻雜的第一電極區以及由所述第一電極區底部的所述半導體外延層和所述半導體頂層組成的第二電極區； 所述MOS晶體管底部的所述介質埋層和所述半導體主體層的第一界面作為第二導電類型的光生載流子收集端； 所述第一電極區通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的第一電極，所述第一電極用于連接反偏電壓； 所述器件單元結構在工作狀態下，所述反偏電壓使所述嵌入式PN二極管的所述第二電極區耗盡并形成用于感光的第一耗盡區，所述反偏電壓還使所述第一耗盡區中產生的第二導電類型的光生載流子轉移到所述第一界面處；所述第一界面處的所述光生載流子通過界面耦合效應使所述MOS晶體管的閾值電壓變化。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司;復旦大學，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。