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龍圖騰網(wǎng)獲悉九江德福科技股份有限公司申請的專利一種低電阻溫度系數(shù)的埋阻銅箔的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118390121B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410579135.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C25D1/04；該發(fā)明授權(quán)一種低電阻溫度系數(shù)的埋阻銅箔的制備方法是由呂吉慶;吳松;涂彬斌;汪聰;張杰;楊紅光設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-05-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種低電阻溫度系數(shù)的埋阻銅箔的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種低電阻溫度系數(shù)的埋阻銅箔的制備方法，屬于埋阻銅箔技術(shù)領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有技術(shù)無法制備出低電阻溫度系數(shù)和阻值波動小、電阻率大于9×10?4的埋阻銅箔產(chǎn)品的問題。方法包括制備生箔層、制備表面處理層、反應(yīng)濺射電阻層、磁控濺射防氧化層四個步驟。采用本發(fā)明方法制備出的埋阻銅箔產(chǎn)品具有以下優(yōu)點(diǎn)：電阻層的電阻率高，在相同電阻層厚度下，可得到較高的方阻值；產(chǎn)品的電阻溫度系數(shù)TCR低，具有良好的熱穩(wěn)定性；電阻層均勻致密，可以將方阻值的公差控制在3％內(nèi)。相比于市面現(xiàn)有產(chǎn)品具有更高的優(yōu)勢，具有更好的應(yīng)用前景和商業(yè)價值。

本發(fā)明授權(quán)一種低電阻溫度系數(shù)的埋阻銅箔的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低電阻溫度系數(shù)的埋阻銅箔的制備方法，其特征在于：該方法分為以下步驟： S1.制備生箔層； 按現(xiàn)有技術(shù)工藝，通過電化學(xué)沉積的方法，使用生箔機(jī)制備生箔，通過調(diào)整生箔機(jī)的車速、電流密度、電鍍液組份來獲得物性合格的生箔； S2.制備表面處理層； 按現(xiàn)有技術(shù)工藝，通過表面處理機(jī)，對生箔進(jìn)行粗糙化處理和非銅金屬電鍍處理，在生箔層的基礎(chǔ)上制備形成表面處理層，即為成品箔； S3.反應(yīng)濺射電阻層； S3.1預(yù)處理； 先采用離子源對成品箔的處理面進(jìn)行離子轟擊，通過調(diào)整離子源及其功率、工作氣體及其充氣量、處理時間來調(diào)控預(yù)處理效果，清潔成品箔表面； S3.2真空反應(yīng)濺射鍍膜技術(shù)制備電阻層； 通過真空反應(yīng)濺射鍍膜技術(shù)，使電阻材料以化合物的形式沉積在經(jīng)過預(yù)處理的成品箔表面上，通過調(diào)整靶材、鍍膜功率、反應(yīng)氣體及其充氣量來調(diào)控電阻層的厚度和組分，具體如下： 靶材為質(zhì)量比大于5:5的鎳鉻合金靶； 鍍膜功率為1-15KW； 反應(yīng)氣體及充入量為： 氬氣充入量為100-300sccm，純度為99.99％；氧氣充入量為0-200sccm，純度為99.99％；氮?dú)獬淙肓繛?-200sccm，純度為99.99％； 成膜厚度為20-500nm； 該步驟在表面處理層的基礎(chǔ)上獲得電阻層； S4.磁控濺射防氧化層； 通過真空磁控濺射鍍膜技術(shù)，在經(jīng)過濺射電阻材料的銅箔表面沉積防氧化材料，通過調(diào)整靶材、鍍膜功率、工作氣體及其充氣量來調(diào)控防氧化層的厚度； 該步驟在電阻層的基礎(chǔ)上獲得防氧化層； 最終得到埋阻銅箔產(chǎn)品。

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