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龍圖騰網獲悉東南大學申請的專利水平垂直交叉耦合及源諧振器耦合的多層基片集成波導濾波器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119009412B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410828100.7，技術領域涉及：H01P1/203；該發明授權水平垂直交叉耦合及源諧振器耦合的多層基片集成波導濾波器是由朱曉維;仇璐;楊獻龍設計研發完成，并于2024-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本水平垂直交叉耦合及源諧振器耦合的多層基片集成波導濾波器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種水平垂直交叉耦合及源諧振器耦合的多層基片集成波導濾波器，包括從上往下堆疊的上層單元、下層單元。上層單元的兩個14模諧振腔與下層單元的全模諧振腔通過位于第二金屬層的金屬開槽形成垂直耦合，上層單元的兩個14模諧振腔通過第一金屬層的腔體連接處形成水平交叉耦合，輸入微帶線和一個14模諧振腔通過第一金屬層的源諧振器耦合線形成水平源諧振器耦合。相對于傳統的三階基片集成波導濾波器，本發明在提升了濾波器選擇性的情況下，利用垂直耦合結構及14模腔技術實現了小型化。本發明加工方便，水平垂直交叉耦合結構及14模腔技術通過普通的多層PCB工藝即可實現，適用于24GHz?26GHz頻段，可以應用到該頻段的5G毫米波移動通信系統中。

本發明授權水平垂直交叉耦合及源諧振器耦合的多層基片集成波導濾波器在權利要求書中公布了：1.一種水平垂直交叉耦合及源諧振器耦合的多層基片集成波導濾波器，其特征在于：包括從上往下堆疊的上層單元、下層單元； 上層單元的結構包括第一介質基片6及粘結層7，第一介質基片6的上表面設有第一金屬層3，粘結層7的下表面設有第二金屬層4； 下層單元的結構包括第二介質基片8，第二介質基片8的上表面為第二金屬層4，第二介質基片8的下表面設有第三金屬層5； 第一介質基片6、粘結層7、第一金屬層3、第二金屬層4、第二介質基片8和第三金屬層5上均設有第一金屬化通孔陣列9；第二介質基片8、第二金屬層4和第三金屬層5上設有第二金屬化通孔陣列10； 上層單元的第一金屬化通孔陣列9的左側部、第一金屬層3的左側部和第二金屬層4構成上層單元的左側14模諧振腔R1，上層單元的第一金屬化通孔陣列9的右側部、第一金屬層3的右側部和第二金屬層4構成上層單元的右側14模諧振腔R3，下層單元的第一金屬化通孔陣列9及第二金屬化通孔陣列10、第二金屬層4和第三金屬層5構成下層單元的全模諧振腔R2； 第一金屬層3有源諧振器耦合線12，第二金屬層4開有耦合槽13； 上層單元的兩側分別通過左側14模諧振腔R1無通孔側和右側14模諧振腔R3無通孔側接入輸入微帶線1和輸出微帶線2。

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