買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種無電容動態隨機存儲器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118900562B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410996227.X，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權一種無電容動態隨機存儲器及其制備方法是由郭二娟;李慧聰;翟天佑設計研發完成，并于2024-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種無電容動態隨機存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種無電容動態隨機存儲器及其制備方法，屬于半導體技術領域，包括垂直堆疊的寫入晶體管和讀取晶體管，分別對應一組源極層、漏極層和柵極層；兩個晶體管均使用二維絕緣材料作為封裝層來保護二維半導體材料的溝道層，提高了溝道層在高溫下的穩定性，減小高溫下晶體管的關態泄漏電流，從而延長動態隨機存儲器的數據保存時間，實現了耐高溫的無電容動態隨機存儲器；在此基礎上通過引入第二絕緣層和第四絕緣層，來規避采用二維絕緣材料作為封裝層所帶來的柵極與溝道之間的柵極電容太小，影響數據存儲時間的問題，進而在保證存儲性能的條件下，提高了存儲器的高溫穩定性。

本發明授權一種無電容動態隨機存儲器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種無電容動態隨機存儲器，其特征在于，包括： 從下至上依次設置的襯底、第一絕緣層、第一封裝層和第一溝道層； 設置在所述第一溝道層之上、且互不相連的第一源極層和第一漏極層；所述第一源極層和所述第一漏極層之間的第一溝道層區域作為第一溝道區域； 覆蓋所述第一源極層、所述第一溝道層和所述第一漏極層上表面的第二封裝層；所述第二封裝層設置有使所述第一漏極層上表面部分或全部裸露的第一通孔； 覆蓋所述第二封裝層上表面的第二絕緣層；所述第二絕緣層設置有與所述第一通孔貫通的第二通孔； 設置在所述第二絕緣層之上、且至少部分區域位于所述第一溝道區域正上方的第一柵極層； 覆蓋所述第二絕緣層和所述第一柵極層上表面的第三絕緣層；所述第三絕緣層設置有使所述第一柵極層上表面部分或全部裸露的第三通孔、和與所述第二通孔貫通的第四通孔； 覆蓋所述第三絕緣層上表面的第三封裝層；所述第三封裝層設置有與所述第三通孔貫通的第五通孔、和與所述第四通孔貫通的第六通孔； 第二源極層和第二漏極層，至少部分所述第二源極層填充在所述第三通孔和第五通孔中，至少部分所述第二漏極層填充在所述第一通孔、第二通孔、第四通孔和第六通孔中； 覆蓋所述第三封裝層、所述第二源極層和所述第二漏極層上表面的第二溝道層；所述第二源極層和所述第二漏極層之間的第二溝道層區域作為第二溝道區域； 依次設置在所述第二溝道層之上的第四封裝層和第四絕緣層； 設置在所述第四絕緣層之上、且至少部分區域位于所述第二溝道區域正上方的第二柵極層； 其中，所述第一溝道層和第二溝道層的材料為二維半導體材料；所述第一封裝層、第二封裝層、第三封裝層和第四封裝層的材料為二維絕緣材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。