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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種倒裝銀鏡發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119008810B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411096661.9，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種倒裝銀鏡發光二極管芯片及其制備方法是由李文濤;鄒燕玲;張存磊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2024-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種倒裝銀鏡發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種倒裝銀鏡發光二極管芯片及其制備方法，該制備方法包括S10，提供外延片；S20，制備布拉格反射層；S30，在布拉格反射層表面涂布第一光刻膠，后去除掉布拉格反射層上的部分第一光刻膠；S40，利用電感耦合等離子體刻蝕工藝刻蝕出布拉格反射層通孔；S50，利用電感耦合等離子體刻蝕工藝去除布拉格反射層通孔內的殘留物；其中，步驟S40的具體步驟包括：S401，進行主反應刻蝕，以形成布拉格反射層通孔；步驟S50的具體步驟包括：S501，清理經主反應刻蝕后產生的副產物；S502，進行氧離子刻蝕，以去除在主反應刻蝕過程后殘留有氟離子的第一光刻膠層；S503，進行氬離子刻蝕，以去除殘留至布拉格反射層通孔側壁的氟離子；S504，去除布拉格反射層通孔內的殘留物。

本發明授權一種倒裝銀鏡發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種倒裝銀鏡發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： S10，提供一外延片； S20，在所述外延片上制備布拉格反射層； S30，在所述布拉格反射層表面涂布第一光刻膠，后利用曝光、顯影工藝去除掉所述布拉格反射層上的部分所述第一光刻膠； S40，利用電感耦合等離子體刻蝕工藝刻蝕暴露出的所述布拉格反射層，以形成布拉格反射層通孔； S50，利用電感耦合等離子體刻蝕工藝刻蝕所述第一光刻膠和所述布拉格反射層通孔內的氟離子，以去除所述布拉格反射層通孔內的殘留物； 其中，所述步驟S40的具體步驟包括： S401，開啟機體上功率，并通入主反應氣體后，開啟機體下功率，進行主反應刻蝕，以形成布拉格反射層通孔； 所述步驟S50的具體步驟包括： S501，關閉所述機體下功率，并通入氮氣，以清理經所述主反應刻蝕后產生的副產物； S502，降低所述機體上功率，并開啟所述機體下功率，后通入氧氣進行氧離子刻蝕，以去除在所述主反應刻蝕過程后殘留有氟離子的所述第一光刻膠層； S503，增加所述機體上功率，并降低所述機體下功率，后通入氬氣進行氬離子刻蝕，以去除殘留至所述布拉格反射層通孔側壁的氟離子； S504，關閉所述機體下功率，并通入氮氣清理刻蝕副產物，以去除所述布拉格反射層通孔內的殘留物。

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