力特半導體(無錫)有限公司牟宗文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉力特半導體(無錫)有限公司申請的專利集成多設備芯片和封裝獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112424943B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201980001455.6，技術領域涉及：H10D18/00；該發(fā)明授權集成多設備芯片和封裝是由牟宗文;石磊;周繼峰設計研發(fā)完成，并于2019-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成多設備芯片和封裝在說明書摘要公布了：本發(fā)明題為“集成多設備芯片和封裝”。公開了一種保護設備，該保護設備可包括半導體襯底和形成在該半導體襯底內的晶閘管型設備，其中晶閘管設備從半導體襯底的第一主表面延伸到半導體襯底的第二主表面。該保護設備可包括形成在半導體襯底內的第一PN二極管；以及形成在半導體襯底內的第二PN二極管，其中晶閘管型設備以電串聯(lián)的方式布置在第一PN二極管與第二PN二極管之間。
本發(fā)明授權集成多設備芯片和封裝在權利要求書中公布了：1.一種保護設備，包括： 半導體襯底； 晶閘管型設備，所述晶閘管型設備形成在所述半導體襯底內，所述晶閘管型設備從所述半導體襯底的第一主表面延伸到所述半導體襯底的第二主表面； 第一PN二極管，所述第一PN二極管形成在所述半導體襯底內，其中，第一PN二極管形成晶閘管型設備的一部分； 第二PN二極管，所述第二PN二極管形成在所述半導體襯底內，其中所述晶閘管型設備的端子以電串聯(lián)的方式布置在所述第一PN二極管與所述第二PN二極管之間；和 電隔離屏障，所述電隔離屏障從所述第一主表面延伸到所述第二主表面，并且設置在所述第二PN二極管與所述晶閘管型設備之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人力特半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市新區(qū)碩放振發(fā)六路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數(shù)據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據的最終完整性和準確性。
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