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龍圖騰網(wǎng)獲悉泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種準超結(jié)溝槽柵碳化硅VDMOS獲國家實用新型專利權(quán)，本實用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN223297942U 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的實用新型授權(quán)公告中獲悉：該實用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202422682377.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該實用新型一種準超結(jié)溝槽柵碳化硅VDMOS是由施廣彥;張長沙;張瑜潔;李昀佶設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-11-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種準超結(jié)溝槽柵碳化硅VDMOS在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種準超結(jié)溝槽柵碳化硅VDMOS，包括：漂移層連接至碳化硅襯底，漂移層下部均勻間隔設(shè)有多個N型區(qū)；漂移層上部均勻間隔設(shè)有多個P型掩蔽區(qū)，每個N型區(qū)連接至碳化硅襯底，漂移層上設(shè)有凹槽；P型阱區(qū)連接至漂移層以及P型掩蔽區(qū)，P型阱區(qū)內(nèi)設(shè)有N型源區(qū)以及P型源區(qū)，P型源區(qū)連接至N型源區(qū)；柵介質(zhì)層下部設(shè)于凹槽內(nèi)，柵介質(zhì)層分別連接漂移層以及P型掩蔽區(qū)；柵介質(zhì)層外側(cè)面分別連接P型阱區(qū)內(nèi)側(cè)面以及N型源區(qū)內(nèi)側(cè)面；柵介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有溝槽；柵極金屬層設(shè)于溝槽內(nèi)；源極金屬層分別連接P型阱區(qū)、P型源區(qū)以及N型源區(qū)；漏極金屬層連接至碳化硅襯底，提高器件的耐壓能力，降低器件的導通電阻。

本實用新型一種準超結(jié)溝槽柵碳化硅VDMOS在權(quán)利要求書中公布了：1.一種準超結(jié)溝槽柵碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅襯底， 漂移層，所述漂移層下側(cè)面連接至所述碳化硅襯底上側(cè)面，所述漂移層下部均勻間隔設(shè)有多個N型區(qū)；所述漂移層上部均勻間隔設(shè)有多個P型掩蔽區(qū)，每個所述N型區(qū)下側(cè)面連接至所述碳化硅襯底上側(cè)面，所述漂移層上設(shè)有凹槽； P型阱區(qū)，所述P型阱區(qū)下側(cè)面連接至所述漂移層上側(cè)面以及P型掩蔽區(qū)上側(cè)面，所述P型阱區(qū)內(nèi)設(shè)有N型源區(qū)以及P型源區(qū)，所述P型源區(qū)連接至所述N型源區(qū)； 柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層下部設(shè)于所述凹槽內(nèi)，所述柵介質(zhì)層下側(cè)面分別連接所述漂移層上側(cè)面以及P型掩蔽區(qū)上側(cè)面；所述柵介質(zhì)層外側(cè)面分別連接所述P型阱區(qū)內(nèi)側(cè)面以及N型源區(qū)內(nèi)側(cè)面；所述柵介質(zhì)層內(nèi)設(shè)有溝槽； 柵極金屬層，所述柵極金屬層設(shè)于所述溝槽內(nèi)； 源極金屬層，所述源極金屬層分別連接所述P型阱區(qū)、P型源區(qū)以及N型源區(qū)； 以及，漏極金屬層，所述漏極金屬層連接至碳化硅襯底下側(cè)面。

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