電子科技大學(xué)張岱南獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學(xué)申請的專利一種STDP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無監(jiān)督在線學(xué)習(xí)電路及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN119692282B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411828501.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G06F30/373;該發(fā)明授權(quán)一種STDP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無監(jiān)督在線學(xué)習(xí)電路及方法是由張岱南;張歐文;蔣昊;王中銳;齊曉娟設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-12-12向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種STDP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無監(jiān)督在線學(xué)習(xí)電路及方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種STDP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無監(jiān)督在線學(xué)習(xí)電路及方法;電路包括前神經(jīng)元、后神經(jīng)元、光電憶阻器、長時(shí)抑制模塊和長時(shí)增強(qiáng)模塊,前神經(jīng)元和后神經(jīng)元均用于,發(fā)射脈沖;長時(shí)抑制模塊用于,減小光電憶阻器的權(quán)值;長時(shí)增強(qiáng)模塊用于,增大光電憶阻器的權(quán)值;光電憶阻器用于,進(jìn)行脈沖傳遞和權(quán)值調(diào)整;方法包括:對比前神經(jīng)元與后神經(jīng)元的發(fā)射脈沖的發(fā)射順序,調(diào)整光電憶阻器的突觸權(quán)值;通過引入光調(diào)控,解決了傳統(tǒng)電路傳遞脈沖和調(diào)整憶阻器權(quán)值無法同時(shí)進(jìn)行的問題;實(shí)現(xiàn)下降電路結(jié)構(gòu)和控制信號的復(fù)雜度,有利于提高電路集成度和降低功耗。
本發(fā)明授權(quán)一種STDP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無監(jiān)督在線學(xué)習(xí)電路及方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種STDP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無監(jiān)督在線學(xué)習(xí)電路,其特征在于, 包括前神經(jīng)元、后神經(jīng)元、光電憶阻器、長時(shí)抑制模塊和長時(shí)增強(qiáng)模塊,所述前神經(jīng)元和所述后神經(jīng)元分別與所述光電憶阻器連接,所述長時(shí)抑制模塊分別與所述前神經(jīng)元和所述后神經(jīng)元連接,所述長時(shí)增強(qiáng)模塊分別與所述前神經(jīng)元和所述后神經(jīng)元連接; 所述前神經(jīng)元和所述后神經(jīng)元均用于,發(fā)射脈沖; 所述長時(shí)抑制模塊用于,減小所述光電憶阻器的權(quán)值; 所述長時(shí)增強(qiáng)模塊用于,增大所述光電憶阻器的權(quán)值; 所述光電憶阻器用于,進(jìn)行脈沖傳遞和權(quán)值調(diào)整; 所述長時(shí)增強(qiáng)模塊包括電控開關(guān)S1、電控開關(guān)S2、電阻R1、電阻R2、電容C1、NMOS晶體管N1、發(fā)光二極管D1和節(jié)點(diǎn)A,所述電控開關(guān)S1與所述前神經(jīng)元連接,所述電控開關(guān)S2與所述后神經(jīng)元連接,所述電阻R1分別與所述電控開關(guān)S1、所述電阻R2、所述電容C1和所述NMOS晶體管N1連接,所述電控開關(guān)S2分別與所述NMOS晶體管N1和所述發(fā)光二極管D1連接,且所述電阻R1、所述電阻R2、所述電容C1和所述NMOS晶體管N1之間設(shè)置有所述節(jié)點(diǎn)A; 所述電阻R2和所述電容C1分別連接直流電壓端口Vth1;其中Vth1為所述NMOS晶體管N1的閾值電壓。
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