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龍圖騰網(wǎng)獲悉華能廣西清潔能源有限公司;中國華能集團(tuán)清潔能源技術(shù)研究院有限公司申請的專利一種基于MEMS芯片的CO氣體傳感器及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120214023B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510684001.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C08K3/22；該發(fā)明授權(quán)一種基于MEMS芯片的CO氣體傳感器及其制備方法和應(yīng)用是由劉發(fā)燦;平小凡;歐陽宏明;劉明義;曹曦;曹傳釗;王策;石景豐;李學(xué)孔;楊春開;雷浩東;成前;楊超然;劉偉;段召容設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-05-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于MEMS芯片的CO氣體傳感器及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于MEMS芯片的CO氣體傳感器及其制備方法和應(yīng)用，屬于氣敏傳感器領(lǐng)域。本發(fā)明提供的制備方法是將二水氯化亞錫進(jìn)行改性得到PtSnO2納米復(fù)合材料；將PtSnO2納米復(fù)合材料加入聚偏氟乙烯和N?甲基?2?吡咯烷酮的混合溶液中混合均勻得到氣敏漿料；將氣敏漿料涂覆在MEMS芯片的電極上，將涂覆氣敏漿料的MEMS芯片進(jìn)行熱處理得到基于MEMS芯片的CO氣體傳感器。本發(fā)明制備的MEMS芯片CO傳感器，對電池?zé)崾Э鼐哂忻爰夗憫?yīng)時間，能夠在電池發(fā)生熱失控之前，探測到微量的CO氣體。

本發(fā)明授權(quán)一種基于MEMS芯片的CO氣體傳感器及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于MEMS芯片的CO氣體傳感器的制備方法，其特征在于，包括： 將二氧化錫納米材料加入乙醇溶液中混合均勻得到第一溶液，在紫外光照射環(huán)境中，向第一溶液中加入氯鉑酸進(jìn)行反應(yīng)得到粗PtSnO2，對粗PtSnO2進(jìn)行熱處理得到PtSnO2納米復(fù)合材料，所述二氧化錫納米材料和氯鉑酸的質(zhì)量比為（5~10）:1； 將PtSnO2納米復(fù)合材料加入聚偏氟乙烯和N-甲基-2-吡咯烷酮的混合溶液中混合均勻得到氣敏漿料；所述聚偏氟乙烯和N-甲基-2-吡咯烷酮的質(zhì)量比為1:（200~300），所述PtSnO2與聚偏氟乙烯和N-甲基-2-吡咯烷酮的混合溶液的質(zhì)量比為1:（2~3）； 取0.5~1μL的氣敏漿料滴涂在MEMS芯片的電極上，將涂覆氣敏漿料的MEMS芯片置于80~100℃的溫度中干燥2~3h得到基于MEMS芯片的CO氣體傳感器。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華能廣西清潔能源有限公司;中國華能集團(tuán)清潔能源技術(shù)研究院有限公司，其通訊地址為：530200 廣西壯族自治區(qū)南寧市良慶區(qū)凱旋路16號廣東大廈四十三層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。