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龍圖騰網獲悉北京懷柔實驗室申請的專利MOSFET器件的元胞結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302690B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510775873.8，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權MOSFET器件的元胞結構及其制備方法是由金銳;李翠;聶瑞芬;和峰;孫琬茹;葛歡;李哲洋;崔翔設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本MOSFET器件的元胞結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種MOSFET器件的元胞結構及其制備方法，包括：襯底，襯底包括相對的第一表面和第二表面；外延層，位于第一表面上，外延層遠離襯底的表面為第三表面，外延層與襯底的摻雜類型相同；元胞區，位于外延層靠近第三表面的部分，元胞區包括源極結構和柵極結構，在第一方向上，源極結構和柵極結構呈非直線型，在第二方向上，源極結構與柵極結構交替排布，第一方向和第二方向分別與襯底的厚度方向垂直。改善了現有技術中MOSFET器件的導通特性和短路特性需要折中優化的技術問題。

本發明授權MOSFET器件的元胞結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種MOSFET器件的元胞結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括相對的第一表面和第二表面； 外延層，位于所述第一表面上，所述外延層遠離所述襯底的表面為第三表面，所述外延層與所述襯底的摻雜類型相同； 元胞區，位于外延層靠近所述第三表面的部分，所述元胞區包括源極結構和柵極結構，在第一方向上，所述源極結構和柵極結構呈非直線型，在第二方向上，所述源極結構與所述柵極結構交替排布，所述第一方向和所述第二方向分別與所述襯底的厚度方向垂直， 所述柵極結構在所述第二表面上的正投影包括第一寬部和第一窄部，所述源極結構在所述第二表面上的正投影包括第二寬部和第二窄部，所述第一寬部和所述第一窄部在所述第一方向上交替排布，所述第二寬部和所述第二窄部在所述第一方向上交替排布，所述第一寬部和所述第二窄部在第二方向上交替排布，所述第二寬部和所述第一窄部在所述第二方向上交替排布， 所述元胞區還包括： 第一摻雜區，位于所述柵極結構靠近所述襯底的一側，并且所述第一摻雜區在所述襯底上的投影與所述第一寬部交疊，所述第一摻雜區的摻雜類型與所述襯底的摻雜類型不同； 第二摻雜區，位于所述源極結構靠近所述襯底的一側，并且所述第二摻雜區在所述襯底上的投影與所述第二寬部交疊，所述第一摻雜區的摻雜類型與所述襯底的摻雜類型不同。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。