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龍圖騰網獲悉深圳大學申請的專利在半導體襯底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半導體襯底表面的多孔石墨烯獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120288759B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510772453.4，技術領域涉及：C01B32/188；該發明授權在半導體襯底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半導體襯底表面的多孔石墨烯是由聶東;王定官;范津維;何家源;林浩;陳建業;胡靜怡;許凱東設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本在半導體襯底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半導體襯底表面的多孔石墨烯在說明書摘要公布了：本發明提供了一種在半導體襯底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半導體襯底表面的多孔石墨烯，所述方法包括如下步驟：步驟S1，在干凈的Au111基底上制備少層FeO材料，得到少層FeO基底；步驟S2，在所述少層FeO基底上沉積前體分子，所述前體分子為1,3,5?三4?碘苯基苯；步驟S3，加熱前體分子，使其發生烏爾曼偶聯反應，沿著基底表面外延生長沉積，得到單層二維多孔石墨烯；步驟S4，退火處理，去掉FeIX。采用本發明的技術方案得到單層多孔石墨烯，構建了半導體有機物的異質結構，方法簡單，有望被應用于氣體傳感、生物分子檢測、光電探測器等傳感芯片。

本發明授權在半導體襯底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半導體襯底表面的多孔石墨烯在權利要求書中公布了：1.一種在半導體襯底表面合成多孔石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟S1，在干凈的Au111基底上制備少層FeO材料，得到少層FeO基底；所述少層FeO材料采用以Fe在一氧化碳氣體氛圍中熱氧化，在Au111表面合成FeO； 步驟S2，在所述少層FeO基底上沉積前體分子，所述前體分子為1,3,5-三4-碘苯基苯； 步驟S3，加熱前體分子，使其發生烏爾曼偶聯反應，沿著基底表面外延生長沉積，得到單層二維多孔石墨烯； 步驟S4，退火處理，去掉FeIX； 步驟S2中，還包括原位真空退火處理，退火溫度為100-150℃，退火時間為5~10mins； 步驟S3中，沉積后還包括退火處理，所述退火處理時基底溫度為180-320℃，持續時間為5~120mins。

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