中國人民解放軍國防科技大學牛俊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利基于掩星數據的低電離層電子密度反演方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120316384B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510788999.9，技術領域涉及：G06F17/10；該發明授權基于掩星數據的低電離層電子密度反演方法是由牛俊;李紹文;翁利斌;孟興;汪四成;盛崢;梅冰設計研發完成，并于2025-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于掩星數據的低電離層電子密度反演方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種基于掩星數據的低電離層電子密度反演方法。所述方法包括：獲取由多顆低軌衛星組成的掩星項目提供的二級數據文件后進行TEC數據預處理，基于預處理后的數據在一定高度區間范圍內根據兩段式線性擬合提取TEC廓線中的電離層F層分量，得到插值后的電離層F層TEC分量；根據插值后的掩星觀測值和電離層F層TEC分量計算低電離層TEC分量；根據低電離層TEC分量的高度分布構建基于Abel權重函數的電子密度反演線性方程組并采用非負最小二乘進行求解，得到反演的電子密度廓線；利用高斯函數對反演的電子密度廓線進行平滑擬合得到電子密度廓線產品。采用本方法能夠提高低電離層電子密度反演精度。
本發明授權基于掩星數據的低電離層電子密度反演方法在權利要求書中公布了：1.一種基于掩星數據的低電離層電子密度反演方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取由多顆低軌衛星組成的掩星項目提供的二級數據文件；對所述二級數據文件進行TEC數據預處理，得到預處理后的數據； 基于所述預處理后的數據在一定高度區間范圍內根據兩段式線性擬合提取TEC廓線中的電離層F層分量，得到插值后的電離層F層TEC分量；根據插值后的掩星觀測值和所述插值后的電離層F層TEC分量計算低電離層TEC分量； 建立離散化后的低電離層TEC分量與待求的電子密度的線性方程組并采用非負最小二乘進行求解，得到反演的電子密度廓線； 利用高斯函數對所述反演的電子密度廓線進行平滑擬合得到電子密度廓線產品。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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