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龍圖騰網獲悉北京懷柔實驗室申請的專利半導體結構和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302692B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510790191.4，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體結構和半導體器件是由李翠;金銳;田寶華;和峰;聶瑞芬;李哲洋;崔翔;徐琮瑋設計研發完成，并于2025-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構和半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構和半導體器件，該半導體結構包括：襯底；外延層，位于襯底的表面上；第一摻雜區，位于外延層中，第一摻雜區的表面為外延層的遠離襯底的部分表面；柵極結構，位于外延層中，且在預定方向上位于第一摻雜區的一側，柵極結構的遠離襯底的表面為外延層的遠離襯底的部分表面，預定方向為垂直于襯底厚度的方向；第一介質層，位于外延層中，且位于柵極結構的靠近襯底的表面上，在預定方向上，柵極結構的長度大于第一介質層的長度，第一介質層與柵極結構組成階梯結構。本申請改善了現有技術中槽柵MOSFET元胞變小后導通電阻增大的程度。

本發明授權半導體結構和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 外延層，位于所述襯底的表面上； 第一摻雜區，位于所述外延層中，所述第一摻雜區的表面為所述外延層的遠離所述襯底的部分表面； 柵極結構，位于所述外延層中，且在預定方向上位于所述第一摻雜區的一側，所述柵極結構的遠離所述襯底的表面為所述外延層的遠離所述襯底的部分表面，所述預定方向為垂直于所述襯底厚度的方向； 第一介質層，位于所述外延層中，且位于所述柵極結構的靠近所述襯底的表面上，在所述預定方向上，所述柵極結構的長度大于所述第一介質層的長度，所述第一介質層與所述柵極結構組成階梯結構； 第二摻雜區，位于所述第一摻雜區中，所述第二摻雜區的摻雜類型與所述第一摻雜區的摻雜類型相同，所述第二摻雜區的摻雜濃度大于所述第一摻雜區的摻雜濃度； 第三摻雜區，位于所述柵極結構的靠近所述第二摻雜區的側壁上、所述第一介質層的靠近所述第二摻雜區的側壁上、所述第一介質層的靠近所述襯底的部分表面上以及所述第二摻雜區的靠近所述柵極結構的側壁上，所述第三摻雜區的摻雜類型與所述第一摻雜區的摻雜類型相同，所述第三摻雜區的摻雜濃度大于所述第二摻雜區的摻雜濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。