青島艾諾儀器有限公司白洪超獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉青島艾諾儀器有限公司申請的專利電芯測試系統及多級升壓調速控制系統獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120352787B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510819462.4,技術領域涉及:G01R31/385;該發明授權電芯測試系統及多級升壓調速控制系統是由白洪超;劉言昭;李益;朱文營設計研發完成,并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本電芯測試系統及多級升壓調速控制系統在說明書摘要公布了:本發明公開了一種電芯測試系統及多級升壓調速控制系統,電芯測試系統包括電源電路、母線輸出功率調制電路、變壓器、整流橋、開關電路、電流測量電路、電壓測量電路和控制器,控制器先計算待測負載的電容,根據電容大小控制電源電路輸出的電壓、開關電路的通斷狀態以及母線輸出功率調制電路的工作狀態,直至待測負載兩端電壓達到設定電壓,之后,控制MOS管Q7和MOS管Q8斷開,待測負載處于自放電狀態,電壓測量電路測量待測負載的電壓高于第二設定電壓時,待測負載合格,否則,不合格。本發明電芯測試系統可以有效識別負載大小根據負載大小選擇適當的拓撲結構以及升壓速度,從而使得升壓速度符合負載,避免小負載過沖,大負載測試效率低的技術問題。
本發明授權電芯測試系統及多級升壓調速控制系統在權利要求書中公布了:1.一種電芯測試系統,其特征在于,所述電芯測試系統包括: 電源電路; 母線輸出功率調制電路,包括MOS管驅動芯片、MOS管Q7、MOS管Q8、電容C1和電容C2;所述MOS管Q7、MOS管Q8的柵極與所述MOS管驅動芯片連接,所述MOS管Q7的源極連接MOS管Q8的漏極,所述MOS管Q7的漏極和MOS管Q8的源極之間連接串聯的電容C1和C2; 變壓器,所述變壓器的初級線圈連接至所述電容C1和電容C2之間、所述MOS管Q7的源極和MOS管Q8的漏極之間; 整流橋,包括二極管D1、二極管D2、二極管D3和二極管D4,所述二極管D1的正極和二極管D3的負極、二極管D2的正極和二極管D4的負極分別連接所述變壓器的次級線圈;所述二極管D1的負極和二極管D2的負極之間、二極管D3的正極和二極管D4的正極之間通過串聯的待測負載C4和電阻R2連接; 第一開關電路,連接至所述電源電路、MOS管Q7的漏極和電容C1之間; 第二開關電路,連接至所述變壓器的初級線圈、電容C1和電容C2之間; 第三開關電路,連接至所述電源電路、所述變壓器的初級線圈和第二開關電路之間; 第四開關電路,連接在二極管D2的正極和二極管D4的負極之間; 電壓測量電路,用于測量所述待測負載C4的電壓; 電流測量電路,用于測量流經所述電阻R2的電流; 控制器,輸出控制信號至所述電源電路、MOS管驅動芯片、第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路,并接收所述電壓測量電路和電流測量電路的信號; 控制所述第一開關電路斷開、第二開關電路斷開、第三開關電路導通、第四開關電路斷開;控制所述電源電路輸出第一電壓,控制所述MOS管Q8按照第一占空比通斷,接收所述電流測量電路檢測的電流I、電壓測量電路檢測的電壓V,并計時t,計算待測負載C4的電容; 根據所述待測負載C4的電容控制所述電源電路輸出的電壓,控制所述第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路和第四開關電路的通斷;控制所述母線輸出功率調制電路的工作狀態,直至待測負載C4兩端電壓達到設定電壓; 在所述待測負載C4兩端電壓達到設定電壓后,控制所述MOS管Q7和MOS管Q8斷開,所述待測負載C4處于自放電狀態,所述電壓測量電路測量待測負載C4的電壓高于第二設定電壓時,判斷所述待測負載C4合格,否則,不合格; 其中,所述第二設定電壓低于設定電壓。
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