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龍圖騰網獲悉江蘇芯德半導體科技股份有限公司申請的專利一種晶圓級電感封裝結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120341190B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510840130.4，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權一種晶圓級電感封裝結構及其制備方法是由趙玥;徐倩倩;謝雨龍;張中設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種晶圓級電感封裝結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種晶圓級電感封裝結構及其制備方法，封裝結構包括中介層、電磁凸塊、塑封體、塑封部和第三功能芯片，塑封體設有兩個，塑封體旋轉90度后垂直設于中介層正面，且對稱設置在電磁凸塊的兩側，使第一左側壁金屬層和第二左側壁金屬層朝向中介層正面，塑封體中的第一左側壁金屬層和第二左側壁金屬層通過中介層實現與電磁凸塊的電氣連接；塑封部包覆兩個塑封體和電磁凸塊，第三功能芯片集成在第一右側壁金屬層和第二右側壁金屬層表面。本發明提供的晶圓級電感封裝結構，實現了在有限的空間內高密度集成6顆芯片，顯著減小了封裝尺寸，且制備方法簡單。

本發明授權一種晶圓級電感封裝結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓級電感封裝結構，其特征在于，包括： 中介層，具有正面和背面，用于支撐和電氣連接； 電磁凸塊，設于中介層正面； 塑封體，具有襯底晶圓、設于襯底晶圓正面的第一功能芯片及設于襯底晶圓背面的第二功能芯片，所述襯底晶圓內設有多個硅通孔，所述第一功能芯片和第二功能芯片通過硅通孔連接，所述第一功能芯片具有對外電氣連接的第一左側壁金屬層和第一右側壁金屬層，第二功能芯片具有對外電氣連接的第二左側壁金屬層和第二右側壁金屬層；所述塑封體設有兩個，塑封體旋轉90度后垂直設于中介層正面，且對稱設置在電磁凸塊的兩側，使第一左側壁金屬層和第二左側壁金屬層朝向中介層正面，塑封體中的第一左側壁金屬層和第二左側壁金屬層通過中介層實現與電磁凸塊的電氣連接； 塑封部，形成于中介層正面，包覆兩個塑封體和電磁凸塊，兩個塑封體的第一右側壁金屬層和第二右側壁金屬層表面裸露；在第一右側壁金屬層和第二右側壁金屬層表面形成第二再布線金屬層； 第三功能芯片，集成在兩個塑封體的第一右側壁金屬層和第二右側壁金屬層表面，通過第二再布線金屬層與第一右側壁金屬層和第二右側壁金屬層電氣連接，形成晶圓級電感封裝結構。

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