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龍圖騰網(wǎng)獲悉粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司申請的專利一種雙極性晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120379281B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510865082.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D10/40；該發(fā)明授權(quán)一種雙極性晶體管及其制造方法是由張日林;劉文虎;張擁華設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種雙極性晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N雙極性晶體管及其制造方法，其中，雙極性晶體管包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)、第一目標(biāo)溝槽、第二目標(biāo)溝槽、發(fā)射極、基極和集電極，其中，發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)依次呈縱向排列，基區(qū)位于集電區(qū)之上，發(fā)射區(qū)位于基區(qū)之上，第一目標(biāo)溝槽的側(cè)壁設(shè)置有氧化物并在溝槽內(nèi)沉積多晶硅，第一目標(biāo)溝槽的底部多晶硅與基區(qū)接觸，第二目標(biāo)溝槽設(shè)置在第一目標(biāo)溝槽的一側(cè)，第二目標(biāo)溝槽的側(cè)壁設(shè)置有氧化物并在溝槽內(nèi)沉積多晶硅，第二目標(biāo)溝槽的底部多晶硅與集電區(qū)接觸，基極設(shè)置在第一目標(biāo)溝槽表面的多晶硅上，集電極設(shè)置在第二目標(biāo)溝槽表面的多晶硅上，發(fā)射極設(shè)置在第一目標(biāo)溝槽的另一側(cè)的發(fā)射區(qū)的表面上。

本發(fā)明授權(quán)一種雙極性晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種雙極性晶體管，其特征在于，所述雙極性晶體管包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)、第一目標(biāo)溝槽、第二目標(biāo)溝槽、發(fā)射極、基極和集電極， 其中，所述發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)依次呈縱向排列，所述基區(qū)位于所述集電區(qū)之上，所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)之上，所述第一目標(biāo)溝槽的側(cè)壁設(shè)置有氧化物并在溝槽內(nèi)沉積多晶硅，所述第一目標(biāo)溝槽的底部多晶硅與所述基區(qū)接觸，所述第二目標(biāo)溝槽設(shè)置在所述第一目標(biāo)溝槽的一側(cè)，所述第二目標(biāo)溝槽的側(cè)壁設(shè)置有氧化物并在溝槽內(nèi)沉積多晶硅，所述第二目標(biāo)溝槽的底部多晶硅與所述集電區(qū)接觸， 所述基極設(shè)置在所述第一目標(biāo)溝槽表面的多晶硅上，所述集電極設(shè)置在所述第二目標(biāo)溝槽表面的多晶硅上，所述發(fā)射極設(shè)置在所述第一目標(biāo)溝槽的另一側(cè)的所述發(fā)射區(qū)的表面上； 所述雙極性晶體管還包括柵極和第三目標(biāo)溝槽，所述柵極用于通過連接不同的外部電壓來改變所述雙極性晶體管的電流放大系數(shù)， 其中，所述第三目標(biāo)溝槽設(shè)置在所述第一目標(biāo)溝槽的另一側(cè)，所述第三目標(biāo)溝槽的側(cè)壁和底部均設(shè)置有氧化物并在溝槽內(nèi)沉積多晶硅， 所述柵極設(shè)置在所述第三目標(biāo)溝槽表面的多晶硅上，所述發(fā)射極設(shè)置在所述柵極和所述基極之間。

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